[发明专利]一种光刻版清洗剂及其使用方法

说明书

本发明涉及光刻板的清洗领域，具体涉及一种光刻版清洗剂及其使用方法，本发明提供一种光刻版清洗剂包括强氧化剂、强酸和水，同时提供一种光刻版清洗剂的使用方法，包括如下步骤：(1)对所述光刻版清洗剂搅拌后静置；(2)将光刻版放入清洗剂中进行清洗；(3)冲洗光刻板；(4)刷洗光刻版；(5)再次冲洗并烘干光刻板。本发明提供的光刻版清洗剂以及使用方法，成本低，无需加热，方法简便，清洗效率高。该清洗剂可有效去除光刻版表面顽固性有机污染物和附着的微小无机颗粒物。本发明提供的清洗剂清洗光刻版后，光刻板表面洁净、平整，保证产品光刻质量。

技术领域

本发明涉及光刻板的清洗领域，具体涉及一种光刻版清洗剂及其使用方法。

背景技术

在半导体LED器件工艺制程中以及在集成电路制造中，光刻技术作为一种精密的微细加工技术起着重要的作用。光刻技术是指在紫外光照作用下，借助光刻胶将掩膜版(光刻版)上的图形转移到基片上的技术。其主要过程为：首先在基片表面涂覆一层厚度均匀的光刻胶，紫外光通过掩膜版照射到基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应，再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶，使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上，最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。光刻版的衬底材料为石英，主要是由于石英性质稳定、热膨胀系数低、透光性好，在环境温度发生变化时，自身尺寸不发生变化，保证了光刻图形的均一和稳定性。在衬底表面沉积的一层不透明遮光材料为铬，对光线完全不透明，形成掩膜图形。在实际的使用过程中，光刻版的使用和更换频率是很高的，这就会导致光刻版表面产生多种污染，如有机物污染、残留胶、颗粒附着物、表面损伤等，常用的光刻版清洗方法为有机溶剂擦拭、清洗或使用单一的酸、氧化剂清洗，清洗效果上可以去除大部分表面污染物，但个别玩固性污染和表面颗粒却难以去除，如持续存在会不断影响光刻质量和产品良率。

常规的有机溶剂清洗只能去除光刻版表面残留胶、有机物、油脂等，但受溶剂本身清洗能力和胶的种类影响也容易存在残留。而强氧化剂清洗可进一步去除常规有机溶剂无法去除干净的顽固光刻胶和污染物，但是单一的强氧化剂清洗效果也是有限的，对于常规表面无机颗粒附着物不能有效去除。

中国专利文献CN105632887A公开的“一种光刻板清洗方法”依次通过丙酮、IPA、DI水、吹干清洗完成对光刻版正面的清洗，同时还需要再对背面进行清洗。从该方法的清洗过程上可以看出，所用丙酮、IPA为常规去有机清洗溶液，只能去除光刻版表面的常规有机污染物、油污等，对于表面硌伤、残胶污染、颗粒嵌入物起不到任何的清洗作用，简单来讲，通过棉球蘸取乙醇擦拭也能起到与该方法类似的效果。

中国专利文献CN102357481A公开的“甩版清洗机及光刻版的清洗方法”结构复杂，清洗效率低，无法使用强酸强碱强氧化剂，清洗成本也较高。中国专利文献CN103186036A公开了一种简易清洗掩膜的方法，将清洗的掩膜版放置含浓硫酸和双氧水混合液(SPM)容器中浸泡数十分钟，先后经去离子水、无水乙醇冲洗，最后再用高纯氮气吹干即可。该专利存在的问题是：浓硫酸和双氧水混合后会大量放热，同时双氧水受热释放出氧气，产生大量气泡，该溶液操作过程中具有一定危险性，同时溶液本身时效性有限，一旦双氧水失氧过多便会导致清洗效果大大降低。

发明内容

为了克服以上技术的不足，本发明提供了一种光刻版清洗剂及其使用方法。

本发明提供一种包括强氧化剂、强酸和水的光刻版清洗剂以及使用方法，配置和使用方法简单，成本低廉，该清洗剂可有效去除光刻版表面顽固性污点、硌伤、颗粒物，保证光刻版正常的图形复制，同时提高产品质量，防止出现图形异常。

本发明的技术方案是：

一种光刻版清洗剂，包括强氧化剂、强酸和水。