[发明专利]一种腔体、工艺机台的处理方法及侧墙工艺方法在审
| 申请号： | 201910088081.8 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109801829A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 肖庆;谢岩 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 侧墙工艺 工艺机台 预设 种腔 半导体制造技术 聚合物累积 产品良率 产品缺陷 反应气体 有效处理 预设功率 预设压力 聚合物 反应腔 晶圆 腔体 残留 体内 | ||
1.一种腔体的处理方法，用于工艺机台，其特征在于，包括：
于所述腔体内无晶圆的情况下，采用一反应气体于一预设流量、一预设压力及一预设功率下，对所述腔体进行处理，并保持一预设时间后结束。
2.根据权利要求1所述的腔体的处理方法，其特征在于，所述反应气体包括O2。
3.根据权利要求1所述的腔体的处理方法，其特征在于，所述预设流量维持在720-880sccm之间。
4.根据权利要求1所述的腔体的处理方法，其特征在于，所述预设压力维持在90MT-110MT之间。
5.根据权利要求1所述的腔体的处理方法，其特征在于，所述预设功率维持在270W-330W之间。
6.根据权利要求1所述的腔体的处理方法，其特征在于，所述预设时间至少设置为15s。
7.一种工艺机台的处理方法，其特征在于，包括：
步骤S1、于所述工艺机台工作之前，采用上述权利要求1-6中任一项所述的腔体的处理方法处理所述工艺机台的腔体；
步骤S2、执行晶圆的保护膜沉积工艺后，判断是否还要进行所述晶圆的保护膜沉积工艺；
若是，则返回进行所述步骤S1；
若否，则退出。
8.一种侧墙工艺方法，其特征在于，所述侧墙工艺方法中包括字线光刻步骤、字线硬掩膜刻蚀步骤、字线硬掩膜保护膜沉积、字线硬掩膜保护膜蚀刻及字线蚀刻；
于所述字线硬掩膜保护膜沉积步骤之前，采用上述权利要求1-6中任一项所述的腔体的处理方法对所述工艺机台的腔体进行处理。
9.根据权利要求8所述的侧墙工艺方法，其特征在于，所述字线硬掩膜刻蚀步骤采用高分子气体进行刻蚀。
10.根据权利要求9所述的侧墙工艺方法，其特征在于，所述高分子气体包括CH3F。
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