[发明专利]一种腔体、工艺机台的处理方法及侧墙工艺方法

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种腔体、工艺机台的处理方法及侧墙工艺方法，其中包括，于腔体内无晶圆的情况下，采用一反应气体于一预设流量、一预设压力及一预设功率下，对腔体进行处理，并保持一预设时间后结束。本发明的技术方案有益效果在于：有效处理反应腔中因聚合物累积过多而不能被及时处理掉产生的问题，从而避免由于聚合物导致工艺中的产品缺陷的问题，避免侧墙工艺中小尺寸残留缺陷，提高了产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种腔体、工艺机台的处理方法及侧墙工艺方法。

背景技术

现有技术中，如图1所示，非易失闪存(NOR Flash)侧墙工艺通常包括以下步骤：

步骤a1、字线光刻(Word Line photo，WL-PH)，先在晶圆表面涂上一层光刻胶，并通过显影，将光罩上的图案传递到光刻胶上；

步骤a2、字线硬掩膜蚀刻(Word Line Hard Mask Spacer Etch，WLHM-ET)，顺着光刻胶的图案，蚀刻光刻胶下面的硬掩膜，将光刻胶的图案传递到硬掩膜上；

步骤a3、字线硬掩膜保护膜沉积(Word Line Hard Mask Spacer DEP，WLHMSP-DEP)，在晶圆表面沉积一层保护膜；

步骤a4、字线硬掩膜保护膜蚀刻(Word Line Hard Mask Spacer Etch，WLHMSP-ET)，蚀刻晶圆表面沉积的保护膜，并在硬掩膜侧壁形成一层保护膜；

步骤a5、字线蚀刻(Word Line etch，WL-ET)，顺着硬掩膜的图案，蚀刻硬掩膜下面的多晶硅，将硬掩膜的图案传递到晶圆上，形成字线。

在非易失闪存(NORFlash)侧墙工艺中，步骤a1中采用黄光制程(photo，PH)，受限于黄光制程的关键尺寸(Critical Dimension，CD)限制，需要在步骤a3中通过沉积侧墙(Deposition Spacer，DEP Spacer)的方法来做到关键尺寸收缩(Critical Dimensionshrink，CD shrink)。

在进行晶圆表面沉积保护膜后再刻蚀该保护膜时，会产生一定的聚合物，其中聚合物包括含碳成分的副产物，随着工艺过程的进行，越来越多的聚合物附着于腔体的内壁，聚合物长时间的累积，没有被及时清理，当聚合物累积到一定程度时，会因附着力不足而掉下来，掉落在晶圆表面或保护膜表面，因不能被及时去掉而导致形成缺陷。

因此，亟需一种有效解决非易失闪存(NOR Flash)侧墙工艺中小尺寸残留缺陷的工艺方法，以解决工艺中的产品缺陷。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种腔体、工艺机台的处理方法及侧墙工艺方法。

具体技术方案如下：

本发明包括一种腔体的处理方法，用于工艺机台，其中包括：

于所述腔体内无晶圆的情况下，所述工艺机台工作之前，采用一反应气体于一预设流量、一预设压力及一预设功率下，对所述腔体进行处理，并保持一预设时间后结束。

优选的，所述反应气体包括O₂。

优选的，所述预设流量维持在720-880sccm之间。

优选的，所述预设压力维持在90MT-110MT之间。

优选的，所述预设功率维持在270W-330W之间。

优选的，所述预设时间至少设置为15s。

本发明还包括一种工艺机台的处理方法，其中包括：