[发明专利]半导体存储装置及数据写入方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

多个存储单元；

多个字线，分别连接于所述多个存储单元；以及

行控制电路，通过对所述多个字线中的选择字线一面使电压值步进一面施加程序电压直至数据的写入结束为止，来对连接于所述选择字线的存储单元进行所述数据的写入；

所述行控制电路在所述数据的写入中，根据施加至所述选择字线的程序电压的值，对所述多个字线中的选择字线以外的特定的字线施加不同的通过电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述行控制电路在数据的写入中，

在对所述选择字线施加特定电压值以上的程序电压时，对所述选择字线以外的特定的字线施加第1通过电压，

在对所述选择字线施加小于特定电压值的程序电压时，对所述选择字线以外的特定的字线施加高于所述第1通过电压的电压值的第2通过电压。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述行控制电路

以使进行所述第1通过电压及所述第2通过电压的施加控制写入至所述存储单元的数据的数据电压的转变线近似于对所述存储单元理想地写入数据时所形成的数据电压的转变的直线的方式，根据所述第1通过电压及所述第2通过电压的施加控制，对相当于所述程序电压的步进宽度的电压值进行可变控制。

4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述行控制电路

以使进行所述第1通过电压及所述第2通过电压的施加控制写入至所述存储单元的数据的数据电压的转变线近似于对所述存储单元理想地写入数据时所形成的数据电压的转变的直线的方式，根据所述第1通过电压及所述第2通过电压的施加控制，对所述程序电压的脉冲宽度进行可变控制。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述行控制电路在进行所述第2通过电压的施加控制的期间，使所述程序电压的脉冲宽度变窄特定时间量，在进行所述第1通过电压的施加控制的期间，使所述程序电压的脉冲宽度变宽特定时间量。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述行控制电路对连接于所述选择字线的存储单元进行多值的数据的写入。

7.一种数据写入方法，对具有多个存储单元及分别连接于多个所述存储单元的多个字线的半导体存储装置进行数据的写入，且具备：

字线选择步骤，选择多个所述字线中连接于进行数据的写入的存储单元的字线；以及

写入步骤，通过对在所述字线选择步骤中所选择的选择字线一面使程序电压的电压值步进一面施加直至数据的写入结束为止，来对连接于所述选择字线的存储单元进行所述数据的写入；

在所述写入步骤中，根据施加至所述选择字线的程序电压的值，对所述多个字线中的选择字线以外的特定的字线，施加不同的通过电压。

8.根据权利要求7所述的数据写入方法，其特征在于，

所述写入步骤在数据的写入中，具备：

第1施加控制步骤，在对所述选择字线施加特定电压值以上的程序电压时，对所述选择字线以外的特定的字线施加第1通过电压；以及

第2施加控制步骤，在对所述选择字线施加小于特定电压值的程序电压时，对所述选择字线以外的特定的字线施加高于所述第1通过电压的电压值的第2通过电压。

9.根据权利要求8所述的数据写入方法，其特征在于，

具有电压宽度可变步骤，以使进行所述第1通过电压及所述第2通过电压的施加控制写入至所述存储单元的数据的数据电压的转变线近似于对所述存储单元理想地写入数据时所形成的数据电压的转变的直线的方式，根据所述第1通过电压及所述第2通过电压的施加控制，对相当于所述程序电压的步进宽度的电压值进行可变控制。