[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

第1层叠体，包括在第1方向上延伸的第1半导体层、沿所述第1方向彼此分离地配置的多个第1布线层、设置于所述第1半导体层与所述第1布线层之间的第1存储膜、在所述第1方向上延伸的第2半导体层、沿所述第1方向彼此分离地配置的多个第2布线层、设置于所述第2半导体层与所述第2布线层之间的第2存储膜、以及设置于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的第1绝缘层；

接合部件，设置于所述第1半导体层、所述第2半导体层以及所述第1绝缘层上，由导电材料形成；

第1层，配置在所述接合部件的上方，俯视时覆盖所述第1半导体层以及所述第1存储膜；

第2层，配置在所述接合部件的上方，位于在与所述第1方向正交的第2方向上与所述第1层离开的位置，俯视时覆盖所述第2半导体层以及所述第2存储膜；

第2层叠体，包括配置在所述第1层的上方且在所述第1方向上延伸的第3半导体层、沿所述第1方向彼此分离地配置的多个第3布线层、设置于所述第3半导体层与所述第3布线层之间的第3存储膜、配置在所述第2层的上方且在所述第1方向上延伸的第4半导体层、沿所述第1方向彼此分离地配置的多个第4布线层、设置于所述第4半导体层与所述第4布线层之间的第4存储膜、以及设置于所述第3半导体层与所述第4半导体层之间的第2绝缘层；以及

第5半导体层，设置于所述第1层与所述第2层之间，将所述第3半导体层与所述第4半导体层电连接，并且电连接于所述接合部件。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第5半导体层的所述第2方向的宽度比所述接合部件的所述第2方向的宽度窄。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

第3绝缘层，将在第3方向上相邻的2个第1半导体层分离并将在所述第3方向上相邻的2个第2半导体层分离，所述第3方向是与所述第1方向以及所述第2方向正交的方向；和

第4绝缘层，设置于所述第3绝缘层上，将在所述第3方向上相邻的2个第3半导体层分离并将在所述第3方向上相邻的2个第4半导体层分离。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第1存储膜～所述第4存储膜各自包括隧道绝缘膜、电荷蓄积层以及块绝缘膜。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，

在所述第1层与所述第5半导体层之间、以及所述第2层与所述第5半导体层之间，设置有所述隧道绝缘膜。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第1层以及所述第2层各自由导电材料形成。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第1层具有第1面、和相对于所述第1面位于所述第1方向上方的第2面，在所述第2面上方设置有所述第3半导体层，在所述第1面上设置有层间绝缘膜，

所述第2层具有第3面、和相对于所述第3面位于所述第1方向上方的第4面，在所述第4面上方设置有所述第4半导体层，在所述第3面上设置有层间绝缘膜。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

还具备设置于基板的上方的导电层，

所述第1层叠体配置在所述导电层的上方，

所述第1半导体层以及所述第2半导体层电连接于所述导电层。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

还具备连接部件，所述连接部件设置于所述第3半导体层以及所述第4半导体层上，将所述第3半导体层与所述第4半导体层电连接。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，还具备：

接触插塞，设置于所述连接部件上；和

位线，设置于所述接触插塞上，在所述第2方向上延伸。