[发明专利]阵列基板、显示屏及终端设备

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板及位于所述衬底基板同一侧的天线及器件层，所述器件层与所述天线间隔设置，所述器件层包括层叠设置的多层金属叠层及多层介质叠层，其中，金属叠层与介质叠层交替设置，以形成多个薄膜晶体管；

所述天线包括第一金属层，所述第一金属层包括M层金属子层，M为大于或等于2的整数，第j金属子层与所述衬底基板之间的距离小于第j+1金属子层与所述衬底基板之间的距离，j为大于或等于1的整数；

对于每一金属子层，所述多层金属叠层中均存在对应的一层金属叠层，其中，与所述第j金属子层相对应的金属叠层与所述衬底基板之间的距离小于与所述第j+1金属子层相对应的金属叠层与所述衬底基板之间的距离，每一金属子层与对应的金属叠层的材料以及厚度均是相同的，且每一金属子层与对应的金属叠层在同一道制程中同步成型；

所述阵列基板包括至少一个天线阵列，所述天线阵列包括多个所述天线，多个所述天线中相邻两个所述天线之间的间距在3毫米至5毫米范围内。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述天线还包括第二金属层，所述第二金属层层叠于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述多层金属叠层包括依次层叠在所述衬底基板上的栅极层、源漏极层及像素电极层，且所述源漏极层与所述栅极层之间设有至少一层所述介质叠层，所述像素电极层与所述源漏极层之间设有至少一层所述介质叠层；

与所述第j金属子层相对应的金属叠层为所述栅极层，与所述第j+1金属子层相对应的金属叠层为所述源漏极层或像素电极层；或者，

与所述第j金属子层相对应的金属叠层为所述源漏极层，与所述第j+1金属子层相对应的金属叠层为所述像素电极层。

4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述多层金属叠层包括依次层叠在所述衬底基板上的第一栅极层、第二栅极层、源漏极层及像素电极层，且所述第二栅极层与所述第一栅极层之间设有至少一层所述介质叠层，所述源漏极层与所述第二栅极层之间设有至少一层所述介质叠层，所述像素电极层与所述源漏极层之间设有至少一层所述介质叠层；

与所述第j金属子层相对应的金属叠层为所述第一栅极层，与所述第j+1金属子层相对应的金属叠层为所述第二栅极层、所述源漏极层或所述像素电极层；或者，

与所述第j金属子层相对应的金属叠层为所述第二栅极层，与所述第j+1金属子层相对应的金属叠层为所述源漏极层或所述像素电极层；或者，

与所述第j金属子层相对应的金属叠层为所述源漏极层，与所述第j+1金属子层相对应的金属叠层为所述像素电极层。

5.根据权利要求1或2中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括走线层所述走线层、所述天线阵列和所述器件层均位于所述衬底基板的同一侧，且所述天线阵列与所述走线层间隔设置；

所述走线层的出线部位于所述器件层与所述衬底基板的第一边之间，所述第一边为顶边或底边，所述天线阵列位于所述器件层与所述第一边之间。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一边的延伸方向，至少一个所述天线阵列位于所述出线部的一侧或所述出线部的两侧。

7.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括导体层，所述导体层位于所述衬底基板远离所述天线的一侧，且所述导体层在所述衬底基板上的投影覆盖所述天线在所述衬底基板上的投影。