[发明专利]阵列基板、显示屏及终端设备有效
申请号: | 201910093015.X | 申请日: | 2019-01-30 |
公开(公告)号: | CN109786396B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 曹华俊;马国忠;郭玉坤;鲁勇 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/58 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示屏 终端设备 | ||
本申请实施例公开一种阵列基板。该阵列基板包括衬底基板及位于衬底基板同一侧的天线及器件层,器件层包括层叠设置的多层金属叠层及多层介质叠层,其中,金属叠层与介质叠层交替设置,以形成多个薄膜晶体管,天线包括第一金属层,第一金属层包括M层金属子层,M为大于或等于2的整数;对于每一金属子层,多层金属叠层中均存在对应的一层金属叠层,每一金属子层与对应的金属叠层的材料以及厚度均是相同的。本申请实施例通过将天线集成于显示屏的阵列基板上,使天线可直接通过显示屏的上方空间进行通信,提高天线在通信时的净空空间,从而提高天线的通信质量。本申请实施例还公开一种显示屏及终端设备。
技术领域
本申请实施例涉及终端技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示屏及终端设备。
背景技术
随着信息时代的不断发展,手机等终端设备凭借快捷、易携带等优点,已迅速成为人们联络沟通的重要通信工具。而天线作为手机中接收和发射信号的部件,在保证通信质量、实现即时通信方面起到了关键性的作用。在屏占比不断增大的背景下,天线在传统布局下易发生天线净空不足的问题,天线性能较差。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板。所述阵列基板集成有天线,使得天线可直接通过终端设备的屏幕上方空间进行通信,通信时的净空空间较大,从而具有较高的通信质量。本申请实施例还提供一种显示屏及一种终端设备。
第一方面,提供一种阵列基板。所述阵列基板可以应用于终端设备的显示屏中。所述阵列基板包括衬底基板及位于所述衬底基板同一侧的天线及器件层。所述天线用于收发信号。所述器件层用于控制所述显示屏的显示画面。所述器件层与所述天线间隔设置。也即,所述器件层与所述天线之间形成间隙,该间隙能够隔离所述器件层与所述天线,以降低所述器件层对所述天线的收发信号的干扰。
在本实施例中,所述阵列基板包括所述器件层和所述天线,因此应用所述阵列基板的所述显示屏在实现基本显示功能的情况下,还同时集成有天线通信功能,故而所述显示屏的集成度高,有利于所述终端设备的小型化、轻薄化。由于所述天线集成于所述阵列基板中,因此所述天线可直接通过所述显示屏的上方空间进行通信,使得所述天线在通信时具有足够的净空空间,所述天线的通信质量较佳。
所述器件层包括层叠设置的多层金属叠层及多层介质叠层。其中,金属叠层与介质叠层交替地层叠设置,以形成多个薄膜晶体管。任意相邻的两层金属叠层之间均设置有至少一层介质叠层。位于两层金属叠层中的介质叠层能够电气隔离这两层金属叠层。金属叠层和介质叠层为图案化叠层,以使层叠后的多层金属叠层及多层介质叠层共同形成多个薄膜晶体管。多个薄膜晶体管阵列排布。
所述天线包括第一金属层。所述第一金属层包括M层金属子层,M为大于或等于2的整数。其中,所述器件层的多层金属叠层中金属叠层的数量大于或等于M。M层金属子层依次层叠于所述衬底基板上。所述M层金属子层包括所述第j金属子层和所述第j+1金属子层。第j金属子层与所述衬底基板之间的距离小于第j+1金属子层与所述衬底基板之间的距离,j为大于或等于1的整数。换言之,第j金属子层位于所述衬底基板和第j+1金属子层之间。
对于每一金属子层,所述多层金属叠层中均存在对应的一层金属叠层。也即,所述多层金属叠层中均存在与每一金属子层相对应的一层金属叠层。其中,与所述第j金属子层相对应的金属叠层与所述衬底基板之间的距离小于与所述第j+1金属子层相对应的金属叠层与所述衬底基板之间的距离。也即,与所述第j金属子层相对应的金属叠层位于所述衬底基板和与所述第j+1金属子层相对应的金属叠层之间。
每一金属子层与对应的金属叠层的材料以及厚度均是相同的。例如,所述第j金属子层和与所述第j金属子层相对应的金属叠层的材料以及厚度均是相同的。所述第j+1金属子层和与所述第j+1金属子层相对应的金属叠层的材料以及厚度均是相同的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的