[发明专利]半导体结温计算方法、装置、计算机设备和存储介质有效
申请号: | 201910094244.3 | 申请日: | 2019-01-30 |
公开(公告)号: | CN109738779B | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 褚旭;陈基锋;张晗;朱卉 | 申请(专利权)人: | 上海联影医疗科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01N25/20 |
代理公司: | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人: | 舒丁 |
地址: | 201807 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 计算方法 装置 计算机 设备 存储 介质 | ||
本申请涉及一种半导体结温计算方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括:获取传递给半导体部件的控制指令;将所述控制指令输入功率损耗模型,得到损耗数据;将所述损耗数据输入结温模型,得到半导体结温。避免了工作时电压、电流等电气参数的采集,简化了硬件实现架构和计算方法,并且能够根据控制指令预测实际工作时的结温状况,对异常工况进行预警,降低半导体部件和系统的故障率。
技术领域
本申请涉及电气参数测量技术领域,特别是涉及一种半导体结温计算方法、装置、计算机设备和存储介质。
背景技术
半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间,利用半导体材料特殊的电特性来完成特定功能的电子器件。例如:用来产生、控制、接收、变换、放大信号以及进行能量转换等。半导体结温是半导体器件的实际工作温度。功率半导体器件是大功率电子部件和系统中的关键器件,其工作时的半导体结温直接影响半导体器件和所在系统的可靠性和稳定性。
目前的传统技术,半导体的结温计算需要实时采集其工作时的电压、电流以及功率等电气参数,通过电压、电流以及功率等电气参数最终转化为半导体结温。但是目前的传统技术实现架构复杂,并且不能够预先估计实际工作时的半导体结温状况。
发明内容
基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种架构简单并且能够预测实际工作时结温的半导体结温计算方法、装置、计算机设备和存储介质。
一种半导体结温计算方法,所述方法包括:获取传递给半导体部件的控制指令;将所述控制指令输入功率损耗模型,得到损耗数据;将所述损耗数据输入结温模型,得到半导体结温。
在其中一个实施例中,所述获取传递给半导体部件的控制指令之前包括:获取所有控制指令所对应的功率损耗;根据所有控制指令以及所有控制指令相对应的功率损耗,得到功率损耗模型。
在其中一个实施例中,所述获取传递给半导体部件的控制指令之前包括:对多个功率半导体器件分别获取所有控制指令所对应每一个功率半导体的功率损耗;将每一项控制指令所对应的多个功率半导体的功率损耗取平均值,得到平均功率损耗;根据每一项控制指令以及每一项控制指令相对应的平均功率损耗,得到功率损耗模型。
在其中一个实施例中,所述获取所有控制指令所对应的功率损耗包括:获取传递给半导体部件的控制指令;获取每一项控制指令下半导体部件实际的输入输出电气参数;根据所述实际输入输出电气参数计算相对应控制指令下的功率损耗。
在其中一个实施例中,所述将所述控制指令输入功率损耗模型,得到损耗数据包括:获取多种环境参数下的功率损耗模型;获取当前控制指令下的环境参数;根据当前控制指令下的环境参数查找相对应环境参数下的功率损耗模型;将所述控制指令输入功率损耗模型,得到损耗数据。
在其中一个实施例中,所述获取传递给半导体部件的控制指令之前包括:构建半导体等效电路;对所述半导体等效电路进行测试,得到半导体热模型;将所述半导体热模型转化为功率损耗至结温的结温模型。
在其中一个实施例中,所述将所述损耗数据输入结温模型,得到半导体结温包括:将所述损耗数据输入结温模型,得到半导体结升温;将所述半导体结升温与半导体热模型的参考温度求和,得到半导体结温。
一种半导体结温计算装置,所述装置包括:控制指令获取模块,用于获取传递给半导体部件的控制指令;损耗数据计算模块,用于将所述控制指令输入功率损耗模型,得到损耗数据;半导体结温计算模块,用于将所述损耗数据输入结温模型,得到半导体结温。
一种计算机设备,包括存储器和处理器,所述存储器存储有计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一种所述方法的步骤。
一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一种所述的方法的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海联影医疗科技股份有限公司,未经上海联影医疗科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910094244.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。