[发明专利]一种TFT阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括显示器件板和设置在所述显示器件板上的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管；

所述显示器件板包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的缓冲层；

所述驱动薄膜晶体管包括第一有源岛和与所述第一有源岛电性连接的第一源漏极，所述第一有源岛设置在所述缓冲层上；

其中，所述缓冲层上与所述第一有源岛对应的位置处设置有凹槽，所述第一有源岛的部分位于所述凹槽中。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一有源岛包括第一主动区和第一离子掺杂区，所述缓冲层上与所述第一主动区和所述第一离子掺杂区对应的位置处均设置有凹槽。

3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所有所述凹槽的形状和大小均相同。

4.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述凹槽等间距排布。

5.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述显示器件板还包括：

设置在所述缓冲层上且覆盖所述第一有源岛的栅极绝缘层；

设置在所述栅极绝缘层上的层间介质层；

设置在所述层间介质层上的钝化层；

设置在所述钝化层上的平坦层；以及

设置在所述平坦层上的发光层和像素定义层，所述发光层的阳极金属层与第一源漏极电性连接；

其中，所述驱动薄膜晶体管还包括设置在所述栅极绝缘层上的第一栅极，所述第一源漏极设置在所述层间介质层上。

6.根据权利要求5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管包括：

设置在所述缓冲层上的第二有源岛；

设置在所述栅极绝缘层上的第二栅极；以及

设置在所述层间介质层上且与所述第二有源岛电性连接的第二源漏极。

7.一种TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10、在衬底基板上形成缓冲层；

S20、在所述缓冲层上形成凹槽；

S30、在所述缓冲层上形成填充凹槽的非晶硅层；

S40、对所述非晶硅层进行结晶化处理，以形成多晶硅层；

S50、对所述多晶硅层进行图案化处理，以形成第二有源岛以及填充所述凹槽的第一有源岛；

S60、在所述缓冲层上形成覆盖所述第一有源岛和所述第二有源岛的栅极绝缘层；

S70、在所述栅极绝缘层上形成栅极金属层和层间介质层，所述栅极金属层包括与第一有源岛对应的第一栅极，以及，与所述第二有源岛对应的第二栅极；

S80、在所述层间介质层上形成源漏金属层和钝化层，所述源漏金属层包括与第一有源岛电性连接的第一源漏极，以及，与所述第二有源岛电性连接的第二源漏极；

S90、在所述钝化层上形成平坦层、像素定义层和发光层。

8.根据权利要求7所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述步骤S20中，利用半掩膜掩膜板在所述缓冲层上形成凹槽。

9.根据权利要求7所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一有源岛包括第一主动区和第一离子掺杂区，所述缓冲层上与所述第一主动区和所述第一离子掺杂区对应的位置处均设置有凹槽。

10.根据权利要求9所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所有所述凹槽的形状和大小均相同。