[发明专利]一种TFT阵列基板及其制备方法在审

申请号：	201910094353.5	申请日：	2019-01-30
公开（公告）号：	CN109817644A	公开（公告）日：	2019-05-28
发明（设计）人：	李松杉	申请（专利权）人：	武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号：	H01L27/12	分类号：	H01L27/12;H01L21/77
代理公司：	深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300	代理人：	黄威
地址：	430079 湖北省武汉市东湖新技术***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	源岛缓冲层驱动薄膜晶体管显示器件衬底基板非晶硅层凹槽处非晶硅均一性位置处制备晶粒结晶形成电性填充
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【说明书】：

本发明提供一种TFT阵列基板及其制备方法，TFT阵列基板包括显示器件板和设置在显示器件板上的驱动薄膜晶体管；其中，显示器件板包括衬底基板和设置在衬底基板上的缓冲层；驱动薄膜晶体管包括设置在缓冲层上的第一有源岛，缓冲层上与第一有源岛对应的位置处设置有凹槽，第一有源岛的部分位于凹槽中。通过在缓冲层上与驱动薄膜晶体管的第一有源岛对应的位置处设置凹槽，并在缓冲层上形成填充凹槽的非晶硅层，通过非晶硅层结晶形成第一有源岛时，凹槽处的非晶硅接受的能量较低，温度较低，从而在结晶时将会以凹槽处的非晶硅为晶核定向向周围长大结晶，从而使形成的第一有源岛的晶粒均一性较好，大幅度改驱动薄膜晶体管电性的均一性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制备方法。

背景技术

在传统的LTPS-TFT(低温多晶硅薄膜晶体管)显示器的制作过程中，一般是在衬底基板上沉积缓冲层后，在缓冲层上沉积非晶硅层，接着利用ELA(Excimer Laser Anneal，准分子镭射退火)对非晶硅进行退火结晶形成多晶硅层。

但是采用上述方法形成的多晶硅层的晶粒大小均一性较差，晶界较多，严重影响与阳极金属层电性连接的驱动薄膜晶体管的电性均一性，而驱动薄膜晶体管直接影响显示器件的发光特性，进行严重影响TFT阵列基板的性能。

发明内容

本发明提供一种TFT阵列基板，以解决现有的TFT阵列基板中，形成的多晶硅层的晶粒大小均一性较差，导致TFT阵列基板性能下降的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

一种TFT阵列基板，包括显示器件板和设置在所述显示器件板上的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管；

所述显示器件板包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的缓冲层；

所述驱动薄膜晶体管包括第一有源岛和与所述第一有源岛电性连接的第一源漏极，所述第一有源岛设置在所述缓冲层上；

其中，所述缓冲层上与所述第一有源岛对应的位置处设置有凹槽，所述第一有源岛的部分位于所述凹槽中。