[发明专利]一种高分子钽电容器在审

专利信息
申请号: 201910095883.1 申请日: 2019-02-02
公开(公告)号: CN109741945A 公开(公告)日: 2019-05-10
发明(设计)人: 徐新松 申请(专利权)人: 江西省和德曼实业有限公司
主分类号: H01G9/012 分类号: H01G9/012;H01G9/042;H01G9/08;H01G9/14;H01G9/15
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人: 卢富华
地址: 334000 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 银镀层 包覆 阴极 钽电容 电性连接 导电层 介质层 石墨层 引出片 引出线 钽电容器 低等效串联电阻 电容器 导电胶粘剂 阳极 高频环境 高频降噪 结构实现 容量保持 上端 封装层 高频段 阻抗 贯穿
【说明书】:

发明公开了一种高分子钽电容器,包括钽电容块,所述钽电容块的外侧包覆有介质层,所述介质层的外侧包覆有导电层,所述导电层的外侧包覆有石墨层,所述石墨层的外侧包覆有银镀层,所述银镀层的一侧上端通过导电胶粘剂粘有阴极引出片,所述阴极引出片远离银镀层的一端电性连接有阴极,所述钽电容块远离阴极引出片的一端电性连接有引出线,所述引出线依次贯穿介质层、导电层、石墨层和银镀层,所述引出线远离钽电容块的一端电性连接有阳极,所述银镀层的外侧包覆有封装层。通过上述结构实现电容器超低高频环境或在有超低等效串联电阻时,其阻抗、ESR在高频段变化不大,有效的达到高频降噪,高频容量保持。

技术领域

本发明属于钽电容技术领域,具体涉及一种高分子钽电容器。

背景技术

近年来,电子元器件领域的发展重点包括物联网配套、新一代通信技术配套、其他新型电子元件、真空电子器件、激光和红外器件等方向。其中,对新型片式化、小型化、集成化、高端电子元件的需求明显上升。

目前,随着开关电源的体积不断缩小,能量转换效率不断提高,工作频率不断提高(从20KHz到500KHz,甚至达到了兆赫兹)。频率的升高导致输出部分的高频噪声增大,为了有效滤波,必须使用超低高频阻抗或超低等效串联电阻(ESR)的电容器,而且目前市场上传统的钽电容器,在电容失效时极易发生剧烈的燃烧,严重的可能会导致钽电容爆炸,为此,我们提出一种阻抗低、漏电流小、高频特性好的高分子钽电容器来解决现有技术中存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高分子钽电容器,以解决上述背景技术中提出现有钽电容器阻抗高、易燃烧、安全性差、高频特性低的问题。

为实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:

一种高分子钽电容器,包括钽电容块,所述钽电容块的外侧包覆有介质层,所述介质层的外侧包覆有导电层,所述导电层的外侧包覆有石墨层,所述石墨层的外侧包覆有银镀层,所述银镀层的一侧上端通过导电胶粘剂粘有阴极引出片,所述阴极引出片远离银镀层的一端电性连接有阴极,所述钽电容块远离阴极引出片的一端电性连接有引出线,所述引出线依次贯穿介质层、导电层、石墨层和银镀层,所述引出线远离钽电容块的一端电性连接有阳极引出片,所述阳极引出片电性连接有阳极,所述银镀层的外侧包覆有封装层。

优选的,所述封装层的外侧设置有壳体,所述封装层、阴极和阳极均位于壳体的内部。

优选的,所述钽电容块上设置有六边孔,所述六边孔设置有若干个且均匀的分布在钽电容块上。

优选的,所述阴极为高分子聚合物产品。

优选的,所述引出线为钽线。

优选的,所述导电层是掺杂磁性碳纳米管,磁性碳纳米管的长度小于或等于80μm,所述导电层的长度大于或等于磁性碳纳米管的长度。

优选的,所述封装层为环氧树脂层。

优选的,所述壳体由陶瓷材料构成。

本发明的技术效果和优点:本发明提出的一种高分子钽电容器,与现有技术相比,具有以下优点:

1、本发明采用高分子聚合物作为产品的阴极,高分子聚合物首先在容器中按照1:3的化学当量比完成聚合后,使用电化学的方法彻底去除聚噻吩中的铁离子,然后使用一些偶联剂和能够保证稳定性的化学溶剂,在使用极性较强的水来配置成纯度很高的聚噻吩水溶液,再使用简单的浸渍方法使此溶液渗透进入钽电容块内部的六边孔中,在高于水的沸点烘干,就可以使生产出的高分子钽电容中不存在易导致漏电流增大的铁离子,从而使产品具有超越现有液体片式铝电解电容器和固体片式钽电解电容器的各项电性能指标;

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