[发明专利]聚砜高分子、树脂组合物及其制造方法

说明书

本发明公开一种聚砜高分子，其具有以下式(I)结构通式：其中，R₂为各自独立的取代或未经取代的芳香环；X为一同时具有酯基及羟基取代的连结基；R₃为碳数3以上的脂肪族连结基或含有至少2个芳香环的芳香族连结基，且其芳香环中至少两个芳香环以氧原子、硫原子、异亚丙基或六氟异亚丙基连接；且R’为含有环氧官能基的末端基团。

【技术领域】

本发明涉及一种高分子及其制造方法、含此高分子的树脂组合物及其制造方法及利用此树脂组合物的基板贴合方法，且特别是涉及一种聚砜高分子及其制造方法、含此聚砜高分子的树脂组合物及其制造方法及利用此树脂组合物的基板贴合方法。

【背景技术】

由于半导体封装制程中，为了便利生产线的操作，会藉由胶材将硅晶圆暂时贴合于载体基板后，再进行后续元件的制造流程；胶材贴合温度以220℃为使用上限，若贴合需要的温度超过220℃，则容易造成硅晶圆严重翘曲、界面破坏或溢气等问题。此外，在半导体封装制程中会有短暂的高温过程，高温可达260℃以上，若胶材耐热性不佳，将会造成材料形变甚至严重流动的现象。

现有的聚砜高分子(polysulfone)商用品，皆以高玻璃转移温度(玻璃态转变温度，Tg)、高耐热、耐酸、耐碱性为诉求，举凡BASF公司的E(Polyethersulfone；PES)、S(Polysulfon；PSU)、P(Polyphenylsulfone；PPSU)系列的聚砜高分子(polysulfone)、Solvey公司的PESU(Polyethersulfone)系列的聚砜高分子(polysulfone)，或其玻璃转移温度(Tg)介于220～240℃或更高的高分子，若使用这些市售的聚砜高分子(polysulfone)系列的胶材用于半导体贴合制程时，由于胶材内的聚砜高分子(polysulfone)的玻璃转移温度(Tg)多大于220℃或材料结构较刚硬，故贴合时所需的温度同样必须大于220℃，此举将造成硅晶圆严重翘曲、界面破坏或溢气等问题。因此，这类市售的聚砜高分子(polysulfone)系列的胶材并不适合用于半导体封装制程。

有鉴于此，一种可在较低贴合温度(80～220℃)的制程条件下，提供良好贴合效率且在半导体封装的其他高温制程中不会产生溢流的胶材乃是目前业界所殷切期盼。

【发明内容】

本发明的一目的是提供一种聚砜高分子，具有以下式(I)结构通式：

R₂为各自独立的取代或未经取代的芳香环；X为同时具有酯基及羟基取代的连接基；R₃为碳数3以上的脂肪族连接基或含有至少2个芳香环的芳香族连接基，且此芳香族连接基中的至少两个芳香环以氧原子、硫原子、异亚丙基或六氟异亚丙基连接，使R₃具有软链段的分子结构；且R’为含有环氧官能基的末端基团；n为30～200。据此，藉由同时含有磺酰基和R₃为软链段分子结构的搭配，得以调整材料的软化温度，可适用于半导体封装暂时贴合制程中的较低的操作温度，其中R₃若使用硬链段分子结构，例如苯环或联苯结构，则在较低的操作温度下的贴合率较差；而本发明的聚砜高分子末端具有环氧官能基，可提升材料整体耐高温性，使胶材在封装制程中，即使经历高温的环境，亦不会造成材料形变甚至严重流动的现象。

本发明的另一目的是提供一种树脂组合物，包括：前述的聚砜高分子；主链具有磺酰基结构的高分子，但不同于式(I)或式(I-a)；以及有机溶剂。

本发明的再一目的是提供一种基板贴合方法，其步骤包括：提供一第一基板；提供前面段落所述的树脂组合物，并将该树脂组合物涂布于第一基板表面，实施加热处理，以移除树脂组合物内的有机溶剂；以及提供第二基板，使该第二基板贴合于前述的第一基板上，且前述的树脂夹于该第一基板与该第二基板之间，藉此将第二基板暂时贴合于第一基板。

【附图说明】

图1A～1D所绘示的是根据本发明的基板贴合方法的一实施例的剖面制程。