[发明专利]Ga2O3系MISFET和Ga2O3系MESFET在审
| 申请号： | 201910099876.9 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN110047922A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木公平;东胁正高 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;国立研究开发法人情报通信研究机构 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/812;H01L21/02;H01L21/34;H01L29/04;H01L29/15;H01L29/24;H01L29/36;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶膜 漏电极 源电极 基板 栅极绝缘膜 同质外延 高品质 绝缘性 膜形成 通道层 栅电极 单晶 | ||
1.一种Ga2O3系MISFET，包括：
β-Ga2O3系基板，其以β-Ga2O3系单晶的(010)面或者从(010)面仅旋转37.5°以下的角度的面为主面，被添加p型掺杂剂并被控制为与所述p型掺杂剂的添加浓度相应的绝缘性；
β-Ga2O3系单晶膜，其作为同质外延膜形成在所述β-Ga2O3系基板的所述主面上，形成通道层；
在所述β-Ga2O3系单晶膜上形成的源电极和漏电极；以及
在所述源电极与所述漏电极之间的所述β-Ga2O3系单晶膜上介由栅极绝缘膜形成的栅电极。
2.根据权利要求1所述的Ga2O3系MISFET，
所述β-Ga2O3系单晶膜被添加n型掺杂剂并被控制为与所述n型掺杂剂的添加浓度相应的导电性，基于所述导电性形成所述通道层。
3.根据权利要求2所述的Ga2O3系MISFET，
在所述β-Ga2O3系单晶膜中，作为所述n型掺杂剂，被添加从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Ru、Rh、Ir、C、Si、Ge、Pb、Mn、As、Sb、Bi、Sn、F、Cl、Br、I中选择的n型掺杂剂。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的Ga2O3系MISFET，
所述β-Ga2O3系单晶膜介由非掺杂β-Ga2O3系单晶膜形成在所述β-Ga2O3系基板的所述主面上。
5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的Ga2O3系MISFET，
所述β-Ga2O3系单晶膜在所述源电极和所述漏电极的至少下方具有被控制为比所述导电性高的导电性的源极区域和漏极区域。
6.一种Ga2O3系MESFET，包括：
β-Ga2O3系基板，其以β-Ga2O3系单晶的(010)面或者从(010)面仅旋转37.5°以下的角度的面为主面，被添加p型掺杂剂并被控制为与所述p型掺杂剂的添加浓度相应的绝缘性；
β-Ga2O3系单晶膜，其作为同质外延膜形成在所述β-Ga2O3系基板的所述主面上，被添加n型掺杂剂并被控制为与所述n型掺杂剂的添加浓度相应的导电性，基于所述导电性形成通道层；
在所述β-Ga2O3系单晶膜上形成的源电极和漏电极；以及
位于所述源电极与所述漏电极之间并与所述β-Ga2O3系单晶膜进行肖特基接合的栅电极。
7.根据权利要求6所述的Ga2O3系MESFET，
在所述β-Ga2O3系单晶膜中，作为所述n型掺杂剂，被添加从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Ru、Rh、Ir、C、Si、Ge、Pb、Mn、As、Sb、Bi、Sn、F、Cl、Br、I中选择的n型掺杂剂。
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