[发明专利]Ga2O3系MISFET和Ga2O3系MESFET在审
| 申请号： | 201910099876.9 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN110047922A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木公平;东胁正高 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;国立研究开发法人情报通信研究机构 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/812;H01L21/02;H01L21/34;H01L29/04;H01L29/15;H01L29/24;H01L29/36;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶膜 漏电极 源电极 基板 栅极绝缘膜 同质外延 高品质 绝缘性 膜形成 通道层 栅电极 单晶 | ||
本发明提供一种高品质的Ga2O3系MISFET和Ga2O3系MESFET。Ga2O3系MISFET包括：β‑Ga2O3系基板，其以β‑Ga2O3系单晶的(010)面或者从(010)面仅旋转37.5°以下的角度的面为主面，被添加p型掺杂剂并被控制为与所述p型掺杂剂的添加浓度相应的绝缘性；β‑Ga2O3系单晶膜，其作为同质外延膜形成在所述β‑Ga2O3系基板的所述主面上，形成通道层；在所述β‑Ga2O3系单晶膜上形成的源电极和漏电极；以及在所述源电极与所述漏电极之间的所述β‑Ga2O3系单晶膜上介由栅极绝缘膜形成的栅电极。
本申请是分案申请，原案申请的申请号为201280043332.7，国际申请号为PCT/JP2012/072897，申请日为2012年09月07日，发明名称为“Ga2O3系半导体元件”。
技术领域
本发明涉及Ga2O3系半导体元件。
背景技术
作为现有的Ga2O3系半导体元件，已知有使用了形成在蓝宝石基板上的Ga2O3晶体膜的Ga2O3系半导体元件(例如，参照非专利文献1、2)。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1：K.Matsuzaki et al.Thin Solid Films 496,2006,pp.37-41.
非专利文献2：K.Matsuzaki et al.Appl.Phys.Lett.88,092106,2006.
发明内容
然而，由于Ga2O3晶体和蓝宝石晶体的晶体结构完全不同，所以在蓝宝石基板上使Ga2O3晶体异质外延生长是非常困难的。因此，难以使用蓝宝石基板上的Ga2O3晶体膜形成高品质的Ga2O3系半导体元件。
因此，本发明的目的在于提供高品质的Ga2O3系半导体元件。
为了实现上述目的，本发明的一个方式提供[1]～[6]的Ga2O3系半导体元件。
[1]一种Ga2O3系半导体元件，包括：在β-Ga2O3基板上直接或介由其它层形成的β-Ga2O3单晶膜，在上述β-Ga2O3单晶膜上形成的源电极和漏电极，和在上述源电极与上述漏电极之间的上述β-Ga2O3单晶膜上形成的栅电极。
[2]根据上述[1]中记载的Ga2O3系半导体元件，是上述栅电极介由栅极绝缘膜形成在上述β-Ga2O3单晶膜上的Ga2O3系MISFET。
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