[发明专利]与CMOS工艺兼容低温度系数多晶电阻模块及其集成方法

权利要求书

1.与双栅氧高低压CMOS工艺兼容低温度系数多晶电阻模块的集成方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在衬底表面形成阱，并在阱表面形成n埃米的场氧化层，在阱表面未被场氧化层覆盖的区域形成栅氧化层；n为自然数；

2)在场氧化层表面利用低压化学汽相沉积法形成m埃米的多晶电阻层，采用普注的方式生成高值电阻；所述高值电阻的方块电阻值为R1；m和R1为自然数；

3)利用干法刻蚀工艺对多晶电阻层进行刻蚀，从而生成电阻多晶条；

4)利用热氧化工艺，在所述电阻多晶条上生长l埃米氧化层，记为第一介质层；在电阻多晶条上淀积h埃米厚度的低压化学淀积氮化硅层，记为第二介质层；l和h为自然数；

5)完成双栅氧高低压CMOS源极和漏极的光刻注入前工艺，并选定需要低温度系数的多晶电阻区域、高压器件有源区域、中压器件有源区域和低压器件有源区域；

6)分别在高压器件有源区域和中压器件有源区域形成厚栅氧化层；在低压器件有源区域形成薄栅氧化层；

7)在厚栅氧化层、薄栅氧化层和第二介质层的表面淀积第二多晶硅层，并对第二多晶硅层进行刻蚀，从而使栅氧化层和所述栅氧化层表面的多晶硅构成MOS管的多晶硅栅，并选定MOS管的掺杂源漏区；

8)在MOS管的掺杂源漏区完成双栅氧高低压CMOS源极和漏极的光刻注入，即在选定的低温度系数电阻区域掺入杂质，利用MOS管源极和漏极的光刻注入和快速退火工艺激活掺杂的杂质，并消除薄膜应力，从而生成低值电阻；所述低值电阻的方块电阻值为R2，温度系数为T；R2为自然数；

9)利用低压化学汽相沉积法淀积氮氧硅层，记为第三介质层；利用PECVD法淀积USG低介电系数填充膜层；

10)采用化学机械抛光CMP工艺完成膜层平坦化加工，随后采用干法刻蚀工艺完成器件接触孔加工；

11)采用钨溅射工艺和钨化学机械平坦化工艺完成器件接触孔填充加工；溅射铝硅铜膜层并完成金属连线刻蚀加工。

2.根据权利要求1所述的与双栅氧高低压CMOS工艺兼容低温度系数多晶电阻模块的集成方法，其特征在于：所述杂质为P型杂质或N型杂质。

3.根据权利要求1或2所述的与双栅氧高低压CMOS工艺兼容低温度系数多晶电阻模块的集成方法，其特征在于：在所述场氧化层未覆盖的区域表面形成屏蔽保护层；在所述场氧化层未覆盖的区域形成栅氧化层之前，去除所述屏蔽保护层。

4.根据权利要求1所述的与双栅氧高低压CMOS工艺兼容低温度系数多晶电阻模块的集成方法，其特征在于：在形成多晶电阻层前，对屏蔽保护层和场氧化层进行清洗。

5.根据权利要求1所述的与双栅氧高低压CMOS工艺兼容低温度系数多晶电阻模块的集成方法，其特征在于：在形成第二介质层前，对电阻多晶条上的氧化层进行清洗。

6.根据权利要求1所述的与双栅氧高低压CMOS工艺兼容低温度系数多晶电阻模块的集成方法，其特征在于：采用干法刻蚀工艺对第二介质层进行刻蚀，形成Ω形或π形氮化硅介质层。

7.根据权利要求1所述的与双栅氧高低压CMOS工艺兼容低温度系数多晶电阻模块的集成方法，其特征在于：n＝[4500,6000]；m＝[1500,2000]；l＝[80,100]；h＝[250,350]；R1＝[2700,4300]；R2＝[500,700]；T≤200。

8.利用权利要求1至7中任一项所述双栅氧高低压CMOS工艺兼容低温度系数多晶电阻模块的集成方法集成得到的多晶电阻模块，其特征在于，包括衬底、阱、场氧化层、多晶电阻层、介质层、厚栅氧化层、薄栅氧化层和多晶硅栅；

所述衬底位于底部；阱形成于衬底表面；

场氧化层形成于阱表面；

场氧化层包括高压器件区域、中压器件区域和低压器件区域；

高压器件区域和中压器件区域中具有厚栅氧化层；

低压器件区域中具有薄栅氧化层；

多晶电阻层形成于场氧化层表面；

介质层形成于多晶电阻层表面；

MOS管的多晶硅栅构筑在厚栅氧化层和薄栅氧化层上。