[发明专利]一种新型脉冲充电修复一体机

权利要求书

1.一种新型脉冲充电修复一体机，其特征在于：包括主充电电路和控制电路，所述主充电电路包括交流电正半周期充电电路和交流电负半周期充电电路，交流电正半周期充电电流和交流电负半周期充电电电采用非对称机构；当交流电正半周期充电电路对储能电容进行串联充电时，交流电负半周期充电电路的储能电容对充电电池进行并联放电，完成对充电电池的充电，正负半周期充电电路交替工作完成整个充电过程；所述控制电路包括CPU控制器，与所述CPU控制器连接的充电指示灯接口P4、跳级控制电路U6，U7，U8、电源处理电路、光耦U11、桥堆整流分压滤波电路，交流电经过分压电阻R6，R8限流后进入桥堆U4，交流电经过桥堆U4整流分压电阻R5，R7分压后与滤波电容C5，C6，C7连接，经过分压电阻后的电压ADC0与CPU控制器相连，CPU通过采样ADC0电压感知交流电的变化，双向可控硅Q14通过光耦U11与所述CPU控制器连接，充电电池通过电源处理电路后与CPU控制器连接为CPU控制器供电，充电电池通过分压电阻R1，R2，R4分压和滤波电容C4滤波后与CPU控制器的ADC1连接，CPU控制器采样电池电压，实时感知电池电压，若有电池接入则通过光耦U11驱动双向可控硅Q14对电池进行充电，充电过程中CPU控制器同时采集交流电压并且根据实际供电情况控制跳级电路实现电容的跳级串联和并联，从而保证充电过程中电流的相对稳定；所述交流电正半周期充电电路包括双向可控硅Q14、限流电容C22，C23、整流二极管D1、D15，跳级电路，储能电容C14，C15，二极管D5，储能电容C16，C17，隔离二极管D9，D10，D11；所述跳级电路包括整流二极管D1、D15，跳级控制可控硅Q9，Q10，Q11，电容C14，C15，隔离二极管D9，D10，D11，电路级间整流二极管D4，D5；交流电的电流从L端进入，依次经过双向可控硅D14、限流电容C22，C23、整流二极管D1、电容C14、可控硅Q10、电容C15、级间整流二极管D4、储能电容C16，级间整流二极管D5，储能电容C17、整流二极管D15后回到交流电N极，所述跳级电路与储能电容C16，C17通过二极管D5隔离后进行串联，控制电路分别与跳级电路和双向可控硅Q14连接，交流电L端和交流电N端分别经过限流电阻R6，R8后进入桥堆U4，经过桥堆U4整流分压电阻R5和电阻R7分压滤波电容C5，C6，C7L滤波后与控制电路连接用于交流电的AD采样，交流电L端与双向可控硅Q14连接，交流电N端的电流经过12V隔离变压器原边2，交流电L端的电流经过双向可控硅Q14后进入12V隔离变压器原边1，此时IGBT或MOSFET管Q1，Q2，Q3，Q4关闭，电容C14，C15，C16，C17实现串联充电，而IGBT或MOSFET管Q5，Q6，Q7，Q8打开，储能电容C21，C20，C19，C18对充电电池放电，完成充电过程, 充电时电容C21，C20，C19，C18为串联，放电时电容C21，C20，C19，C18为并联；所述交流电负半周期充电电路包括双向可控硅Q14、限流电容C22，C23、整流二极管D2，D16，储能电容C21，C20，C19，C18，隔离二极管D8，D14，D13，D7，D12，D6，此时IGBT或MOSFET管Q5，Q6，Q7，Q8关闭，C21，C20，C19，C18完成串联充电，同时IGBT或MOSFET管Q1，Q2，Q3，Q4打开，电容C14，C15，C16，C17完成对充电电池的并联放电，交流电电流从N端经二极管D2进入，经过C21，D8，C20，D7，C19，D6，C18，D16，限流电容C23，C22，可控硅Q14回到交流电L端, 充电时，电容C14，C15，C16，C17串联，放电时，电容C14，C15，C16，C17并联工作。

2.根据权利要求1所述的新型脉冲充电修复一体机，其特征在于：所述限流电容C22和限流电容C23的负极相连接。

3.根据权利要求1所述的新型脉冲充电修复一体机，其特征在于：所述CPU控制器实时采集充电电池电压，当电池电压达到一定的阈值时，CPU控制器自动启动定时，到达定时时间则自动停止充电，延长电池的使用寿命。