[发明专利]基板及其制造方法

说明书

一种基板及其制造方法，该基板包括：一芯板，该芯板的上、下表面覆有铜箔，在该芯板上设置有通槽，该通槽贯穿该芯板的上、下表面；一导电种子层，覆盖于该通槽的内壁并延伸至该芯板的上、下表面；以及一电极层，填充于该通槽中导电种子层的内部使该通槽被填满并延伸至该芯板的上、下表面的导电种子层之上；其中，该基板的侧面电极通过切开该芯板的通槽使电极层暴露形成。该侧面电极面积大，引线键合更加方便，采用常规基板加工方法，避免使用无芯基板加工，避免了无芯基板翘曲的问题，并且避免使用无芯基板加工中的承载板，无需厚铜电镀，简化工艺，降低了加工制造成本。

技术领域

本公开属于封装基板技术领域，涉及一种基板及其制造方法，特别是一种包含侧面电极贯穿芯板上、下表面的基板，以及该基板的制造方法。

背景技术

通常基板的使用均是在基板的上下两个表面制作电极，在封装中，在正面电极上进行引线键合，通过键合引线和基板进行电性连接、或者正面电极直接与芯片焊球相互连接的倒装焊封装。背面电极通过焊球或表面浸锡后，倒装或表贴在PCB板上。

而在一些特殊应用中需要将基板垂直粘贴在PCB板上，在基板侧面制造电极，通过基板侧面的电极上进行引线键合到PCB板上，比如，光互联中的硅载片，就是采用硅片侧面和正面均制造电极，光发射芯片通过倒装焊与硅载片上的电极互联，通过硅载片上的通孔将光芯片发出的光传送到与通孔对准的光纤中，同时把接收光纤中的光信号通过硅载片上的通孔传回倒装在硅载片上的另一个光接收芯片上，通过光接收芯片，将光信号转换成电信号，无论是光发射芯片的控制信号还是光接收芯片的输出电信号，均要通过硅载片的侧面电极与PCB板之间通过引线键合，从而在控制信号加载的同时将光电转换的电信号传输出去。而硅载片的侧面电极是采用硅通孔(TSV)加工方式进行深硅刻蚀后，将刻蚀出来的深槽侧壁金属化，再将深槽切开形成的侧面电极。这种硅载片无论是硅材料还是结构加工均很复杂，而且无论材料成本还是加工成本均很高。

为降低硅载片的制造成本和加工成本，已经有人提出用有机载片代替硅载片，用有机基板加工与硅载片同样的结构实现硅载片的功能。具体实施方案是采用无芯(Coreless)基板技术，在第一层线路制造完成后，在第一层线路上侧面电极形成处，电镀厚度100微米高度左右的铜凸块，基板制作完成后，将铜凸块出切开，形成侧面裸露的100微米见方的侧面电极，在这样形成的侧面电极上进行引线键合。

然而，这种有机基板的结构和加工制造，从结构和加工制造方法上还是存在如下问题：

1、侧面电极尺寸较小，对于键合要求较高。

2、基板采用Coreless基板技术加工，整板翘曲较大，操作较为不便，工艺流程较为复杂。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本公开提供了一种基板及其制造方法，以至少部分解决以上所提出的技术问题。

(二)技术方案

根据本公开的一个方面，提供了一种基板，包括：一芯板1，该芯板1的上、下表面覆有铜箔，在该芯板1上设置有通槽，该通槽贯穿该芯板1的上、下表面；一导电种子层4，覆盖于该通槽的内壁并延伸至该芯板1的上、下表面；以及一电极层3，填充于该通槽中导电种子层4的内部使该通槽被填满并延伸至该芯板1的上、下表面的导电种子层4之上；其中，该基板的侧面电极通过切开该芯板1的通槽使电极层3暴露形成。

在本公开的一些实施例中，侧面电极的表面上还涂覆有可焊性涂层。

在本公开的一些实施例中，通槽的槽宽大于50μm。

在本公开的一些实施例中，芯板1的上、下表面上，与电极层3对应设置有电极引线。

在本公开的一些实施例中，电极层3通过电镀的方式形成。

在本公开的一些实施例中，导电种子层4为一化学镀铜层。