[发明专利]背接触太阳电池

权利要求书

1.一种背接触太阳电池，其特征在于，包括基底，所述基底的正面设置有正面依次设置有正面掺杂层、钝化减反射层，所述基底的背面依次设置有背面隧穿钝化层、背面掺杂膜层及背面介质膜层，所述背面掺杂膜层包括p型掺杂膜层区域和n型掺杂膜层区域；所述p型掺杂膜层区域与所述n型掺杂膜层区域呈叉指状间隔排列或间隔排列，所述基底为n型基底；所述背面介质膜层设置有暴露所述n型掺杂膜层区域的负电极栅线图案，以及暴露所述p型掺杂膜层区域的正电极栅线图案；所述负电极栅线图案内形成有负极栅线，所述正电极栅线图案内形成有正极栅线，还包括负极连接电极和正极连接电极，所述负极连接电极连接多条所述负极栅线，所述正极连接电极连接多条所述正极栅线，所述正极栅线为铝栅线。

2.根据权利要求1所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述负极栅线为银栅线，所述银栅线的宽度为10um～100um。

3.根据权利要求1所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述铝栅线的宽度为20um～200um。

4.根据权利要求1所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述n型掺杂膜层区域的宽度为0.08～3mm，所述p型掺杂膜层区域的宽度为0.05～1mm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述背面掺杂膜层的材料包括多晶硅、非晶硅、微晶硅中的一种或任意两种以上组合。

6.根据权利要求5所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述n型掺杂膜层区域掺杂有VA族元素，所述p型掺杂膜层区域掺杂有IIIA族元素。

7.根据权利要求6所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述VA族元素的掺杂浓度为1×10¹⁷～5×10²¹cm^-3，所述IIIA族元素的掺杂浓度为1×10¹⁷～5×10²⁰cm^-3。

8.根据权利要求1-4任一项所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述正面钝化减反射层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅中的一种或任意两种以上组合；和/或，

所述背面介质膜层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅中的一种或任意两种以上组合；和/或，

所述背面隧穿钝化层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅和非晶硅中的一种。

9.根据权利要求1-4任一项所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述正极连接电极的材料包括银、铜、铝、镍中的一种或任意两种以上组合；所述负极连接电极的材料包括银、铜、铝、镍中的一种或任意两种以上组合。

10.根据权利要求1-4任一项所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述正面掺杂层为n型同质掺杂膜层，所述n型同质掺杂膜层掺杂有VA族元素，掺杂浓度为1×10¹⁷～5×10²¹cm^-3；或者，

所述正面掺杂层为p型同质掺杂膜层，所述p型同质掺杂膜层掺杂有IIIA族元素，掺杂浓度为1×10¹⁷～5×10²⁰cm^-3。

11.根据权利要求1-4任一项所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述正面掺杂层为n型异质掺杂膜层，所述n型异质掺杂膜层在靠近所述n型基底的一侧设置有正面隧穿钝化层，所述正面隧穿钝化层的材料包括非晶硅、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅中的一种，所述n型异质掺杂膜层掺杂有VA族元素，掺杂浓度为1×10¹⁷～5×10²¹cm^-3；或者，

所述正面掺杂层为p型异质掺杂膜层，所述p型异质掺杂膜层在靠近所述n型基底的一侧设置有正面隧穿钝化层，所述正面隧穿钝化层的材料包括非晶硅、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅中的一种，所述p型异质掺杂膜层掺杂有IIIA族元素，掺杂浓度为1×10¹⁷～5×10²⁰cm^-3。