[发明专利]背接触太阳电池

说明书

本申请公开了一种背接触太阳电池，包括基底，基底的正面设置有正面依次设置有正面掺杂层、钝化减反射层，基底的背面依次设置有背面隧穿钝化层、背面掺杂膜层及背面介质膜层，背面掺杂膜层包括p型掺杂膜层区域和n型掺杂膜层区域；p型掺杂膜层区域与n型掺杂膜层区域呈叉指状间隔排列或间隔排列，基底为n型基底；背面介质膜层设置有暴露n型掺杂膜层区域的负电极栅线图案，以及暴露p型掺杂膜层区域的正电极栅线图案；负电极栅线图案内形成有负极栅线，正电极栅线图案内形成有正极栅线，负极连接电极连接多条负极栅线，正极连接电极连接多条正极栅线，正极栅线为铝栅线。解决现有IBC太阳电池成本较高、电池性能需要提高的问题。

技术领域

本发明一般涉及太阳能光伏发电技术领域，具体涉及一种背接触太阳电池。

背景技术

背接触太阳电池，又称为叉指状背接触(Interdigitated Back Contact；IBC)太阳电池，其属于背接触太阳电池的一种。IBC太阳电池最大的特点是发射区电极和基区电极都处于电池的背面，从而减少了遮光，提高了光电转换效率。太阳电池的增效和降低成本一直是需要持续进行的重要课题。

目前制备n型基底IBC电池时，通常使用银材料为背面电极。银材料作为贵金属，其成本较高，不利于产业化成本的降低。另外，金属材料和掺杂的硅形成接触时，接触面的硅的掺杂浓度越高，金属和硅的接触电阻会更低。在钝化接触结构中，掺杂膜层的掺杂浓度也会降低电池的电极接触性能，尤其是在p型掺杂膜层的应用中，更易出现掺杂浓度较低无法形成良好接触的情况，使得接触电阻较大，影响电池性能。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种背接触太阳电池，至少用以解决现有IBC太阳电池成本较高、电池性能需要提高的问题。

第一方面，本发明提供一种背接触太阳电池，包括基底，所述基底的正面依次设置有正面掺杂层、钝化减反射层，所述基底的背面依次设置有背面隧穿钝化层、背面掺杂膜层及背面介质膜层，所述背面掺杂膜层包括p型掺杂膜层区域和n型掺杂膜层区域；所述p型掺杂膜层区域与所述n型掺杂膜层区域呈叉指状间隔排列或间隔排列，所述基底为n型基底；所述背面介质膜层设置有暴露所述n型掺杂膜层区域的负电极栅线图案，以及暴露所述p型掺杂膜层区域的正电极栅线图案；所述负电极栅线图案内形成有负极栅线，所述正电极栅线图案内形成有正极栅线，还包括负极连接电极和正极连接电极，所述负极连接电极连接多条所述负极栅线，所述正极连接电极连接多条所述正极栅线，所述正极栅线为铝栅线。

进一步地，所述负极栅线为银栅线，所述银栅线的宽度为10um～100um。

进一步地，所述铝栅线的宽度为20um～200um。

进一步地，所述n型掺杂膜层区域的宽度为0.08～3mm，所述p型掺杂膜层区域的宽度为0.05～1mm。

进一步地，所述背面掺杂膜层的材料包括多晶硅、非晶硅、微晶硅中的一种或任意两种以上组合。

进一步地，所述n型掺杂膜层区域掺杂有VA族元素，所述p型掺杂膜层区域掺杂有IIIA族元素。

进一步地，所述VA族元素的掺杂浓度为1×10¹⁷～5×10²¹cm^-3，所述IIIA族元素的掺杂浓度为1×10¹⁷～5×10²⁰cm^-3。

进一步地，所述正面钝化减反射层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅中的一种或任意两种以上组合；和/或，

所述背面介质膜层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅中的一种或任意两种以上组合；和/或，

所述背面隧穿钝化层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅和非晶硅中的一种。