[发明专利]太阳电池在审

申请号：	201910105210.X	申请日：	2019-02-01
公开（公告）号：	CN111524982A	公开（公告）日：	2020-08-11
发明（设计）人：	李华;靳玉鹏	申请（专利权）人：	泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
主分类号：	H01L31/0216	分类号：	H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18;H01L31/20
代理公司：	北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435	代理人：	郭栋梁
地址：	225300 江苏***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	太阳电池
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【权利要求书】：

1.一种太阳电池，其特征在于，包括p型基底，所述p型基底的正面依次设置有n型掺杂层及正面钝化减反射层，所述p型基底的背面依次设置有背面隧穿钝化层、p型掺杂膜层及背面介质膜层；所述正面钝化减反射层上形成有正面电极，所述正面电极贯穿所述正面钝化减反射层并与所述n型掺杂层接触；所述背面介质膜层上形成有背面铝电极，所述背面铝电极贯穿所述背面介质膜层并与所述p型掺杂膜层接触。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述背面铝电极包括多条平行设置的铝栅线。

3.根据权利要求2所述的太阳电池，其特征在于，所述铝栅线的宽度为50um～200um，相邻所述铝栅线之间的距离为500-2000um。

4.根据权利要求1-3任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述背面隧穿钝化层的材料包括氧化硅、氧化铝、氧化钛、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅和非晶硅中的任一种。

5.根据权利要求1-3任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述背面隧穿钝化层的厚度为1-5nm。

6.根据权利要求1-3任一项所述的太阳电池，其特征在于，p型掺杂膜层的材料包括多晶硅。

7.根据权利要求6所述的太阳电池，其特征在于，p型掺杂膜层的材料还包括非晶硅。

8.根据权利要求6所述的太阳电池，其特征在于，所述p型掺杂膜层掺杂有IIIA族元素。

9.根据权利要求6所述的太阳电池，其特征在于，所述p型掺杂膜层的厚度为10-1000nm。

10.根据权利要求8所述的太阳电池，其特征在于，所述p型掺杂膜层的掺杂浓度大于1×10¹⁸个/cm³。

11.根据权利要求1-3任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述背面介质膜层的材料包括氧化硅、氧化铝、氧化钛、氮化硅、氮氧化硅和碳化硅中的一种或多种组合。

12.根据权利要求11所述的太阳电池，其特征在于，所述背面介质膜层的厚度为50-200nm。

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