[发明专利]太阳电池

说明书

本申请公开了一种太阳电池，包括p型基底，所述p型基底的正面依次设置有n型掺杂层及正面钝化减反射层，所述p型基底的背面依次设置有背面隧穿钝化层、p型掺杂膜层及背面介质膜层；所述正面钝化减反射层上形成有正面电极，所述正面电极贯穿所述正面钝化减反射层并与所述n型掺杂层接触；所述背面介质膜层上形成有背面铝电极，所述背面铝电极贯穿所述背面介质膜层并与所述p型掺杂膜层接触。随着对p型掺杂膜层掺杂溶度的降低，则不会影响p型基底的少数载流子寿命，因此，背面的横向传输电阻被大幅度降低，提升了电池的整体性能。

技术领域

本发明一般涉及太阳能光伏发电技术领域，具体涉及一种太阳电池。

背景技术

太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，形成可供利用的电能。

常规钝化发射极背表面电池(Passivated Emitter and Rear Cell；PERC)，钝化发射极背面全扩散电池(Passivated Emitter and Rear Total-diffused Cell；PERT)的使用越来越广泛。然而背面电极的接触区域的复合速率仍然较大，横向传输电阻较高的问题无法同时得到良好的解决，严重的阻碍了太阳电池的效率提升。

目前市场上商业化的PERC结构的背面，均使用局部金属接触的方式，形成电极。这种电池结构在背面，由于收集电流时需要横向传输，硅基底未进行掺杂，电阻率较高，所以横向传输电阻较大，影响太阳电池效率。

而PERT使用背面扩散掺杂，虽然可以降低横向传输电阻。但由于使用银电极，并且高浓度的掺杂无法避免的成为了复合中心，导致降低钝化效率，降低了少数载流子寿命，从而降低的太阳电池的效率。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种太阳电池，用以解决PERC电阻率较高，横向传输电阻较大及PERT随掺杂浓度的增高会形成复合中心，降低了钝化效率，且降低了少数载流子寿命，影响太阳电池效率的问题。

本发明提供一种太阳电池，包括p型基底，所述p型基底的正面依次设置有n型掺杂层及正面钝化减反射层，所述p型基底的背面依次设置有背面隧穿钝化层、p型掺杂膜层及背面介质膜层；所述正面钝化减反射层上形成有正面电极，所述正面电极贯穿所述正面钝化减反射层并与所述n型掺杂层接触；所述背面介质膜层上形成有背面铝电极，所述背面铝电极贯穿所述背面介质膜层并与所述p型掺杂膜层接触。

进一步地，所述背面铝电极包括多条平行设置的铝栅线。

进一步地，所述铝栅线的宽度为50um～200um，相邻所述铝栅线之间的距离为500-2000um。

进一步地，所述背面隧穿钝化层的材料包括氧化硅、氧化铝、氧化钛、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅和非晶硅中的任一种。

进一步地，所述背面隧穿钝化层的厚度为1-5nm。

进一步地，p型掺杂膜层的材料包括多晶硅。

进一步地，p型掺杂膜层的材料还包括非晶硅。

进一步地，所述p型掺杂膜层掺杂有IIIA族元素。

进一步地，所述p型掺杂膜层的厚度为10-1000nm。

进一步地，所述p型掺杂膜层的掺杂浓度大于1×10¹⁸个/cm³。

进一步地，所述背面介质膜层的材料包括氧化硅、氧化铝、氧化钛、氮化硅、氮氧化硅和碳化硅中的一种或多种组合。

进一步地，所述背面介质膜层的厚度为50-200nm。