[发明专利]阵列基板和显示面板的制作方法及显示终端有效
申请号: | 201910106057.2 | 申请日: | 2019-02-01 |
公开(公告)号: | CN110783369B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 谢峰;黄金雷;楼均辉;饶潞;张治权;刘如胜 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/544;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李博洋 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 制作方法 终端 | ||
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供基板,所述基板包括无效区域、有效区域、以及设置于所述无效区域和所述有效区域之间的用于阵列基板测试的测试区域;
在所述基板上制备对位标识和阻挡单元,使所述对位标识和所述阻挡单元位于所述测试区域上,且所述阻挡单元位于所述对位标识靠近所述基板中心位置的一侧;
在所述基板上旋涂支撑柱材料,使所述支撑柱材料露出所述对位标识;
根据所述对位标识进行对位,对位后对所述支撑柱材料图形化形成支撑柱层,所述阻挡单元远离所述基板一侧的表面高于所述支撑柱层远离所述基板一侧的表面。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述在所述基板上制备对位标识和阻挡单元,使所述对位标识和所述阻挡单元位于所述测试区域上,包括:
在所述测试区域上形成位于同一平面的非同一直线上的用于确定对位平面的至少三个所述对位标识。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述在所述基板上制备对位标识和阻挡单元,使所述对位标识和所述阻挡单元位于所述测试区域上,包括:
在所述基板的所述有效区域和所述测试区域上制备像素电路层;
在所述像素电路层上形成平坦化材料;
对所述平坦化材料进行图形化,形成所述阻挡单元和平坦化层;
在所述平坦化层上制备第一导电材料;
对所述第一导电材料进行图形化,形成第一电极和所述对位标识;
在所述第一电极上制备像素限定层;或,
在所述基板的所述有效区域和所述测试区域上制备像素电路层;
在所述像素电路层上形成平坦化层;
在所述平坦化层上制备第一导电材料;
对所述第一导电材料进行图形化,形成第一电极和所述对位标识;
在所述第一电极上制备像素限定材料;
对所述像素限定材料进行图形化,形成所述阻挡单元和像素限定层。
4.根据权利要求1-3任一所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述阻挡单元与所述对位标识的间距为1um-2um。
5.根据权利要求1-3任一所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述阻挡单元远离基板的第一表面的面积小于靠近基板的第二表面的面积。
6.根据权利要求1-3任一所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述阻挡单元靠近对位标识的侧壁与所述基板垂直设置。
7.根据权利要求1-3任一所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述阻挡单元靠近基板中心的侧壁向基板中心倾斜设置。
8.根据权利要求1-3任一所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述阻挡单元在所述基板上的投影的各个边均为圆弧。
9.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供基板,所述基板包括无效区域、有效区域、以及设置于所述无效区域和所述有效区域之间的用于阵列基板测试的测试区域;
在所述基板上制备对位标识,使所述对位标识位于所述测试区域上;
在所述基板上制备支撑柱材料,使所述支撑柱材料覆盖整个所述基板;
通过洗边工艺去除所述对位标识上的支撑柱材料,以露出所述对位标识。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述通过洗边工艺去除所述对位标识上的支撑柱材料,包括:
通过改变洗边喷嘴的位置和/或洗边喷嘴大小去除所述对位标识上的支撑柱材料。
11.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
采用如权利要求1-10任一所述的阵列基板的制作方法制备阵列基板;
对所述阵列基板进行切割,去除所述无效区域;
在所述阵列基板上进行蒸镀、封装;
封装后对所述基板进行切割,去除所述测试区域。
12.一种显示终端,其特征在于,包括如权利要求11所述的显示面板的制作方法制备的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的