[发明专利]一种高压LED芯片结构制造方法

权利要求书

1.一种高压LED芯片结构制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括沿背离所述衬底方向上依次设置的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层；

开设暴露所述第一型半导体层的凹槽；

刻蚀所述外延层，形成原胞隔离槽；所述原胞隔离槽将所述外延层分割为多个LED芯片颗粒，所述原胞隔离槽包括用于连接相邻两个LED芯片颗粒的连接区原胞隔离槽以及位于所述连接区之外的非连接区原胞隔离槽；在相邻两个LED芯片颗粒中心连线的方向上，所述非连接区原胞隔离槽的宽度小于所述连接区原胞隔离槽的宽度；所述非连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度大于所述连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度；

在部分所述第二型半导体层上、所述连接区原胞隔离槽的底面和侧壁形成桥接绝缘隔离层；

在所述第一型半导体层上制作第一电极，在所述第二型半导体层上制作第二电极，在所述桥接绝缘隔离层上制作桥接电极；

其中，所述刻蚀所述外延层，形成原胞隔离槽，具体包括：

形成止刻蚀图形层，所述止刻蚀图形层覆盖部分所述LED芯片颗粒表面，并暴露出待形成原胞隔离槽的区域，以及与所述连接区原胞隔离槽对应的延伸区域，所述延伸区域为所述LED芯片颗粒上，所述连接区原胞隔离槽沿相邻两个LED芯片颗粒中心连线方向上延伸的延伸区域；

在所述LED芯片颗粒上形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖每个所述LED芯片颗粒的表面区域，并暴露出待形成非连接区原胞隔离槽区域；在沿相邻两个LED芯片颗粒中心连线的方向上，所述待形成非连接区原胞隔离槽区域的宽度小于相邻两个所述止刻蚀图形层之间的距离；

对所述光刻胶层暴露出的区域进行刻蚀，形成原胞隔离槽；

去除所述止刻蚀图形层。

2.根据权利要求1所述的高压LED芯片结构制造方法，其特征在于，所述对所述光刻胶层暴露出的区域进行刻蚀，形成原胞隔离槽具体包括：

采用Ar、Cl₂和BCl₃的混合气体对所述光刻胶层暴露出的区域进行刻蚀。

3.根据权利要求1所述的高压LED芯片结构制造方法，其特征在于，在所述第一型半导体层上制作第一电极，在所述第二型半导体层上制作第二电极，在所述桥接绝缘隔离层上制作桥接电极之前，还包括：

在所述第二型半导体层和部分所述桥接绝缘隔离层上，制作形成透明导电层。

4.根据权利要求1所述的高压LED芯片结构制造方法，其特征在于，在所述第一型半导体层上制作第一电极，在所述第二型半导体层上制作第二电极，在所述桥接绝缘隔离层上制作桥接电极之后，还包括：

在整个高压LED芯片结构表面沉积绝缘保护层，且在所述第一电极和所述第二电极上表面开出窗口。