[发明专利]一种高压LED芯片结构制造方法

说明书

本申请提供一种高压LED芯片结构及其制造方法，所述高压LED芯片结构，包括多个LED芯片颗粒和设置在相邻两个LED芯片颗粒之间的原胞隔离槽，所述原胞隔离槽包括连接原胞隔离槽和非连接区原胞隔离槽，其中，在相邻两个LED芯片颗粒中心连线的方向上，所述非连接区原胞隔离槽的宽度小于所述连接区原胞隔离槽的宽度；所述非连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度大于所述连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度。从而减小了非连接区原胞隔离槽的面积，进而增加了发光区面积，提高了高压LED芯片的光效。由于连接区原胞隔离槽的侧壁偏缓，从而保证了桥接绝缘隔离层和桥接电极的有效覆盖，保证了高压LED芯片结构的产品可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体器件制作技术领域，尤其涉及一种高压LED芯片结构制造方法。

背景技术

发光二极管(LED)的发光原理是利用电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差，以光的形式释放能量，这样的发光原理有别于白炽灯发热的发光原理，因此发光二极管被称为冷光源。此外，发光二极管具有耐久性高、寿命长、轻巧、耗电量低等优点，因此现今的照明市场对于发光二极管寄予厚望，将其视为新一代照明工具。

然而，目前LED芯片尚存在着发光效率低的问题。因此提高发光二极管发光效率成为现今最大的课题。基于应用需求，针对提高LED芯片发光效率的技术被提出，例如采用透明衬底、表面粗化，CBL(电流阻挡层)、金属反射镜、倒装芯片、倒梯形芯片结构等技术。

为降低LED封装应用成本，近年来，HV(高压芯片)应运而生，特别是在球泡灯领域得到广泛应用，由于HV(高压芯片)是在芯片制造段的多颗芯片集成，因此可以降低封装的打线成本及应用端的Driver(驱动)成本，进而降低整个LED成本。

由于原胞隔离区的存在，导致发光区面积变小，进而导致整个芯片的发光效率较低。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种高压LED芯片结构制造方法，以解决现有技术中高压LED芯片因原胞隔离区存在导致发光区面积变小，而造成的整个芯片的发光效率较低的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明还提供一种高压LED芯片结构制造方法，用于制作形成上面任意一项所述的高压LED芯片结构，所述高压LED芯片结构制造方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括沿背离所述衬底方向上依次设置的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层；

开设暴露所述第一型半导体层的凹槽；

刻蚀所述外延层，形成原胞隔离槽；所述原胞隔离槽将所述外延层分割为多个LED芯片颗粒，所述原胞隔离槽包括用于连接相邻两个LED芯片颗粒的连接区原胞隔离槽以及位于所述连接区之外的非连接区原胞隔离槽；在相邻两个LED芯片颗粒中心连线的方向上，所述非连接区原胞隔离槽的宽度小于所述连接区原胞隔离槽的宽度；所述非连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度大于所述连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度；

在部分所述第二型半导体层上、所述连接区原胞隔离槽的底面和侧壁形成桥接绝缘隔离层；

在所述第一型半导体层上制作第一电极，在所述第二型半导体层上制作第二电极，在所述桥接绝缘层上制作桥接电极；

其中，所述刻蚀所述外延层，形成原胞隔离槽，具体包括：

形成止刻蚀图形层，所述止刻蚀图形层覆盖部分所述LED芯片颗粒表面，并暴露出待形成原胞隔离槽的区域，以及与所述连接区原胞隔离槽对应的延伸区域，所述延伸区域为所述LED芯片颗粒上，所述连接区原胞隔离槽沿相邻两个LED芯片颗粒中心连线方向上延伸的延伸区域；