[发明专利]用于回焊半导体装置的导电元件的方法及设备

权利要求书

1.一种回焊位于晶片上的导电元件的方法，其包括：

将激光束朝向包括半导体材料的晶片的表面的至少一个区域引导；及

响应于来自所述激光束的所施加能量而回焊位于所述晶片的所述表面上的所述至少一个区域中的至少一个导电元件。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在引导所述激光束之前，将所述晶片放置于由膜框架支撑的膜上，其中所述晶片的承载所述至少一个导电元件的表面背对所述膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其中将所述激光束朝向所述晶片的所述表面的所述至少一个区域引导包括将所述激光束朝向所述晶片的所述表面的所述至少一个区域引导达约1.5秒或更少。

4.根据权利要求1所述的方法，其中将所述激光束朝向所述晶片的所述表面的所述至少一个区域引导包括利用所述激光束来辐照所述至少一个区域的约1,600mm²或更小的表面面积。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括选择性地调整由所述激光束辐照的所述至少一个区域的所述表面面积以施加热来回焊一个导电元件、同时回焊位于所述晶片的单个裸片位置上的导电元件群组、同时回焊位于所述晶片的单个裸片位置上的所有所述导电元件，或同时回焊位于所述晶片的多个邻近预期位置上的所有所述导电元件。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括致使所述激光束以约120W或更小的平均功率进行发射。

7.根据权利要求1所述的方法，其中将激光束朝向所述晶片的所述表面的所述至少一个区域引导包括引导具有处于光谱的红外或可见绿色区域中的波长的激光束。

8.根据权利要求1所述的方法，其中将所述激光束朝向所述晶片的所述表面的所述至少一个区域引导包括将所述激光束朝向半导体装置位置引导，所述半导体装置位置由所述半导体材料的位于所述半导体装置位置之间的深蚀道横向分离。

9.根据权利要求1所述的方法，其中将所述激光束朝向所述晶片的所述表面的所述至少一个区域引导包括将所述激光束朝向半导体装置位置引导，所述半导体装置位置由聚合物区域横向分离。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述激光束同时朝向位于所述晶片的所述表面的所述至少一个区域内的多个半导体装置位置引导。

11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在将所述激光束朝向所述晶片的所述表面的所述至少一个区域引导的同时以脉冲方式输送所述激光束。

12.根据权利要求1到4及6到11中任一权利要求所述的方法，其中回焊位于所述晶片的所述表面上的所述至少一个区域中的所述至少一个导电元件包括将所述至少一个导电元件加热到约360℃或更低的温度。

13.根据权利要求1到4及6到11中任一权利要求所述的方法，其进一步包括在将所述激光束朝向所述至少一个区域引导的同时监测所述至少一个区域的至少一部分的表面温度。

14.根据权利要求1到4及6到11中任一权利要求所述的方法，其进一步包括：将具有不可由所述至少一个导电元件的处于液态中的材料湿润的材料的模板放置于所述激光束的源与所述晶片的所述表面之间，所述模板包括延伸穿过所述模板的孔，所述孔中的至少一者与所述至少一个导电元件大体上对准；以及采用所述模板作为散热器来吸收、反射或重新引导来自所述所引导激光束的热。

15.根据权利要求1到4及6到11中任一权利要求所述的方法，其中将所述激光束朝向所述晶片的所述表面的所述至少一个区域引导包括将所述激光束朝向所述至少一个区域引导，所述至少一个区域具有位于所述晶片的所述表面上的助熔剂材料。