[发明专利]用于回焊半导体装置的导电元件的方法及设备

说明书

本申请案涉及用于回焊半导体装置的导电元件的方法及设备。回焊位于晶片上的导电元件的方法可涉及将激光束朝向被支撑于膜框架的膜上的晶片的表面的区域引导，以回焊位于所述晶片的所述表面上的至少一个导电元件。在一些实施例中，可在激光回焊之前将所述晶片从载体衬底拆离并固定到所述膜框架。还揭示用于执行所述方法的设备，以及修复位于晶片上的先前经回焊导电元件的方法。

优先权主张

本申请案主张2018年2月15日提出申请的美国专利申请案第15/898,019号“用于回焊半导体装置的导电元件的方法及设备(METHODS AND APPARATUSES FOR REFLOWINGCONDUCTIVE ELEMENTS OF SEMICONDUCTOR DEVICES)”的申请日期的权益。

技术领域

本发明一般来说涉及半导体处理且涉及用于制作及修复半导体装置的方法及设备。更具体来说，所揭示实施例涉及用于使用局部化定向能量来回焊位于半导体装置及包括半导体材料的晶片上的导电元件的方法及设备。

背景技术

包括半导体材料的晶片用于从其上形成集成电路的半导体装置位置阵列来每晶片制作众多半导体装置，此后将位于那些位置处的半导体装置分离或“单个化”，如工业中已知。另外，包括固定于基质材料中的先前经单个化半导体装置阵列的所谓的“经重构”晶片可用于制作半导体装置封装。在任一情形中，可在处置及处理期间将晶片常规地支撑于载体衬底上以减少由处置及处理的应力所致的晶片的翘曲及损坏。举例来说，当在晶片的表面上形成例如焊球或焊料尖端导电柱等导电元件时以及在晶片通过后续制造过程及处置而进行移动期间，可将所述晶片支撑于载体衬底上且暂时固定到所述载体衬底。举例来说，当将承载导电元件的晶片引入到炉中以进行导电元件的整体回焊时，晶片可保持固定到载体衬底。在回焊之后，可从晶片移除载体衬底，此可需要使用所施加力、所施加热、溶剂或者前述技术的组合或子组合。

发明内容

在一些实施例中，回焊位于晶片上的导电元件的方法可涉及将激光束朝向包括半导体材料的晶片的表面的至少一个区域引导。可响应于来自所述激光束的所施加能量而回焊位于所述晶片的所述表面上的所述至少一个区域中的至少一个导电元件。

在其它实施例中，回焊位于晶片上的导电元件的方法可涉及将包括半导体材料的晶片从支撑所述晶片的载体衬底拆离。可将所述晶片固定到膜，其中位于所述晶片的表面上的导电元件背对所述膜。可将激光束朝向所述晶片的所述表面的区域引导。可响应于来自所述激光束的所施加能量而回焊位于所述晶片的所述表面上的所述区域中的所述导电元件中的至少一些导电元件。

在其它实施例中，修复位于一或多个半导体结构上的导电元件的方法可涉及将激光束朝向位于一或多个半导体结构上的先前经回焊导电元件引导，所述先前经回焊导电元件被确定为有缺陷的，从而再次回焊所述有缺陷的导电元件。

在仍其它实施例中，用于热处理位于半导体结构上的导电元件的系统可包含：用于产生处于红外或可见绿色光谱中的激光束的设备，所述设备经配置以选择性地调整辐照的表面面积。用于控制所述激光束的路径的设备可以可操作方式耦合到所述用于产生激光束的设备。红外温度传感器可经配置以在由所述激光束进行辐照期间测量表面的温度。用于支撑半导体结构的膜可具备表面，所述表面在由所述用于产生激光束的设备产生的所述激光束辐照所述半导体结构的所述表面的同时承载预成形导电元件或者粘结剂中的离散导电元件材料团块中的一者。

附图说明

尽管本发明以尤其指出且明显地主张特定实施例的权利要求书结束，但当结合附图一起阅读时可依据以下描述较容易地确定在本发明的范围内的实施例的各种特征及优点，其中：

图1是在制作半导体装置的方法中的第一阶段期间的晶片的透视俯视图；

图2是在制作半导体装置的方法的第一阶段期间的晶片的另一实施例的透视俯视图；