[发明专利]具有倒角的半导体封装以及相关方法在审
| 申请号： | 201910108183.1 | 申请日： | 2019-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN110137188A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | O·L·斯吉特 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倒角边缘 管芯 圆角 半导体封装 图像传感器 透射 倒角 | ||
1.一种图像传感器，包括：
管芯，所述管芯包括圆角或倒角边缘中的一者；和
光学透射盖，所述光学透射盖耦接到所述管芯；
其中所述光学透射盖包括对应于所述管芯的圆角或倒角边缘中的一者的圆角或倒角边缘中的一者。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述管芯的角部为凸圆形或凹圆形。
3.一种用于形成图像传感器设备的方法，包括：
在光学透射盖中形成第一多个开口；
将所述光学透射盖耦接到包括多个管芯的晶圆；
通过所述晶圆蚀刻第二多个开口，所述第二多个开口与所述光学透射盖中的所述第一多个开口对准；以及
将所述光学透射盖和所述晶圆切割成多个图像传感器设备，其中每个图像传感器设备包括圆角或倒角边缘中的一者。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括在通过所述晶圆蚀刻所述第二多个开口时蚀刻一个或多个穿硅通孔。
5.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一多个开口的每个开口包括闭合的四边形状的周边、圆形形状的周边、或椭圆形形状的周边中的一者。
6.一种用于形成图像传感器设备的方法，包括：
在光学透射盖中形成第一多个开口；
将所述光学透射盖耦接到包括多个管芯的晶圆；
使用所述光学透射盖作为引导件，通过所述晶圆蚀刻第二多个开口；以及
将所述光学透射盖和所述晶圆切割成多个图像传感器设备，其中每个图像传感器设备包括圆角和倒角边缘中的一者。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一多个开口的每个开口包括闭合的四边形状的周边、圆形形状的周边、或椭圆形形状的周边中的一者。
8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二多个开口通过深反应离子蚀刻工艺形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
