[发明专利]具有隔离部分的光电转换装置与成像系统和移动体

权利要求书

1.一种光电转换装置，其特征在于，包括：

半导体层，包括第一面和与第一面相反放置的第二面，并且包括第一光电转换元件和第二光电转换元件；

第一隔离部分，设置在所述半导体层中，包括绝缘体，并且从第一面延伸到对应于从第一面到第二面的长度的至少四分之一的位置；以及

第二隔离部分，设置在所述半导体层中，包括绝缘体，并且从第二面延伸到对应于从第一面到第二面的长度的至少四分之一的位置，

其中，第一隔离部分和第二隔离部分设置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间。

2.根据权利要求1所述的光电转换装置，

其中，第一隔离部分是通过从第一面去除所述半导体层的一部分而设置的，并且

其中，第二隔离部分是通过从第二面去除所述半导体层的一部分而设置的。

3.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，第二隔离部分在第二面上的宽度窄于第一隔离部分在第一面上的宽度。

4.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，第二隔离部分距第二面的长度短于第一隔离部分距第一面的长度。

5.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，第一隔离部分和第二隔离部分彼此接触。

6.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，在第一隔离部分和第二隔离部分之间，设置第一半导体区域作为抵抗在第一光电转换元件和第二光电转换元件中产生的电荷的势垒。

7.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，第一隔离部分包括第三隔离部分，第三隔离部分在第一面侧包括浅沟槽隔离(STI)结构。

8.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，第一隔离部分至少包含多晶硅，并且第二隔离部分至少包含氧化铪。

9.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，第一隔离部分至少包含氮化硅，并且第二隔离部分至少包含氧化铪。

10.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，第二隔离部分包含氧化铝。

11.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，在第一隔离部分和第二隔离部分投影到第一面上的情况下，第一隔离部分的中心位置和第二隔离部分的中心位置相互不同。

12.根据权利要求1所述的光电转换装置，

其中，所述半导体层还包括第三光电转换元件，

其中，第二光电转换元件位于第一光电转换元件和第三光电转换元件之间，并且

其中，对应于第二光电转换元件和第三光电转换元件设置单个微透镜。

13.根据权利要求12所述的光电转换装置，其中，在第二光电转换元件和第三光电转换元件之间，设置第二半导体区域作为抵抗在第二光电转换元件和第三光电转换元件中产生的电荷的势垒。

14.根据权利要求13所述的光电转换装置，其中，第一隔离部分被设置成使得第一隔离部分延伸到比第二半导体区域更靠近第二面的位置。

15.根据权利要求12所述的光电转换装置，还包括第四隔离部分，第四隔离部分设置在所述半导体层中的第二光电转换元件和第三光电转换元件之间，并且至少从第二面朝向第一面延伸。

16.根据权利要求15所述的光电转换装置，其中，第二隔离部分被设置成使得第二隔离部分延伸到比第四隔离部分更靠近第一面的位置。

17.根据权利要求15所述的光电转换装置，其中，第四隔离部分在第二面上的宽度窄于第二隔离部分在第二面上的宽度。