[发明专利]具有隔离部分的光电转换装置与成像系统和移动体

说明书

本发明涉及具有隔离部分的光电转换装置与成像系统和移动体。一种光电转换装置具有隔离结构。第一隔离部分和第二隔离部分设置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间。第一隔离部分从半导体层的第一面延伸到对应于从半导体层的第一面到第二面的长度的至少四分之一的位置。第二隔离部分从半导体层的第二面延伸到对应于从第一面到第二面的长度的至少四分之一的位置。

技术领域

实施例的一个公开方面涉及光电转换装置、成像系统和移动体。

背景技术

在光电转换装置中，已经讨论了元件之间的各种隔离结构。日本专利申请公开No.2014-204047讨论了一种隔离结构，其包括从半导体基板的第一面穿透半导体基板的凹槽。

日本专利申请公开No.2017-199875讨论了基于这些地方设置不同的隔离结构。

随着光电转换装置的像素的小型化，隔离结构也需要小型化。

发明内容

本公开旨在提供一种具有精细隔离结构的光电转换装置。

根据实施例的一个方面，光电转换装置包括半导体层以及第一隔离部分和第二隔离部分。第一光电转换元件和第二光电转换元件设置在半导体层中。半导体层包括第一面和与第一面相反放置的第二面。第一隔离部分设置在半导体层中，包括绝缘体，并且从第一面延伸到对应于从第一面到第二面的长度的至少四分之一的位置。第二隔离部分设置在半导体层中，并从第二面延伸到对应于从第二面到第一面的长度的至少四分之一的位置。第一隔离部分和第二隔离部分设置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间。

根据下面参照附图对示例性实施例的描述，本公开的另外的特征将变得清楚。

附图说明

图1是示出根据第一示例性实施例的光电转换装置的示意性截面图。

图2A和图2B是各自示出根据第二示例性实施例的光电转换装置的示意性平面图。

图3A和图3B是各自示出根据第二示例性实施例的光电转换装置的示意性截面图。

图4A和图4B是各自示出根据第三示例性实施例的光电转换装置的示意性截面图。

图5A和图5B是各自示出根据第四示例性实施例的光电转换装置的示意性截面图。

图6A和图6B是各自示出根据第五示例性实施例的光电转换装置的示意性截面图。

图7A和图7B是各自示出根据第五示例性实施例的光电转换装置的示意性截面图。

图8A和图8B是各自示出根据第六示例性实施例的光电转换装置的示意性截面图。

图9A至图9H是示出用于制造光电转换装置的方法的示例的示意性截面图。

图10A至图10F是各自示出隔离部分的示意性截面图。

图11是示出成像系统的示意图。

图12A和图12B是各自示出移动体的示意图。

具体实施方式

下面将描述多个示例性实施例。每个示例性实施例的组件可以添加到另一个示例性实施例或者用另一个示例性实施例的组件替换。此外，本公开不限于下面描述的示例性实施例。在以下描述中，P型半导体区域是第一导电类型半导体区域，并且N型半导体区域是第二导电类型半导体区域。

下面将描述第一示例性实施例。图1是示出根据本示例性实施例的光电转换装置的示意性截面图。光电转换装置1000是互补金属氧化物半导体(CMOS)型图像传感器。图1示出了图像传感器的一部分，其中省略了图像传感器的布线层和光学元件。