[发明专利]三维可编程存储器制备方法

权利要求书

1.三维可编程存储器制备方法，包括：

1)形成具有层叠结构的基础结构体的步骤；

2)在基础结构体上，沿层叠方向开设深孔的步骤；

3)在深孔内壁沉积中间介质层，并在内壁带有中间介质层的深孔内填充导电介质的步骤；

其特征在于，所述步骤3)包括：

3.1)在深孔内壁沉积中间介质层；

3.2)在内壁带有中间介质层的深孔内填充导电介质，形成内部导电介质层；

3.3)在选定的深孔内的内部导电介质层和选定的深孔外的连接导体之间施加击穿电压，以击穿内部导电介质层和深孔外的连接导体之间的中间介质层，使内部导电介质层和深孔外的连接导体之间形成导电连接。

2.如权利要求1所述的三维可编程存储器制备方法，其特征在于，所述中间介质层包括绝缘介质层。

3.如权利要求1所述的三维可编程存储器制备方法，其特征在于，所述连接导体位于深孔底部。

4.如权利要求1所述的三维可编程存储器制备方法，其特征在于，在步骤1)之后，还包括：在基础结构体上形成指叉结构的步骤。