[发明专利]三维可编程存储器制备方法

说明书

三维可编程存储器制备方法，涉及存储器的制备技术。本发明包括：1)形成具有层叠结构的基础结构体的步骤；2)在基础结构体上，沿层叠方向开设深孔的步骤；3)在深孔内壁沉积中间介质层，并在内壁带有中间介质层的深孔内填充导电介质的步骤；所述步骤3)包括：3.1)在深孔内壁沉积中间介质层；3.2)在内壁带有中间介质层的深孔内填充导电介质，形成内部导电介质层；3.3)在选定的深孔内的内部导电介质层和选定的深孔外的连接导体之间施加击穿电压，以击穿内部导电介质层和深孔外的连接导体之间的中间介质层，使内部导电介质层和深孔外的连接导体之间形成导电连接。本发明具有良率高(次品率低)的特点。

技术领域

本发明涉及存储器的制备技术。

背景技术

现有技术包括可擦除可编程只读存储器(EPROM)，电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，闪存，NAND-快闪存储器，硬磁盘、光盘(CD)、数字通用光盘(DVD)，蓝光光盘协会注册的蓝光光盘等在内的各种数字存储技术，50余年来已经广泛用于数据存储。然而，存储介质的寿命通常小于5年到10年。针对大数据存储而开发的反熔丝存储技术，因其非常昂贵且存储密度低，不能满足海量数据存储的需求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种三维可编程存储器制备方法，制备得到的存储器具有高密度、低成本的特点，特别是，采用本发明的方法具有较高良率。

本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，三维可编程存储器制备方法，包括：

1)形成具有层叠结构的基础结构体的步骤；

2)在基础结构体上，沿层叠方向开设深孔的步骤；

3)在深孔内壁沉积中间介质层，并在内壁带有中间介质层的深孔内填充导电介质的步骤；

其特征在于，所述步骤3)包括：

3.1)在深孔内壁沉积中间介质层；

3.2)在内壁带有中间介质层的深孔内填充导电介质，形成内部导电介质层；

3.3)在选定的深孔内的内部导电介质层和选定的深孔外的连接导体之间施加击穿电压，以击穿内部导电介质层和深孔外的连接导体之间的中间介质层，使内部导电介质层和深孔外的连接导体之间形成导电连接。

进一步的，所述中间介质层包括绝缘介质层。所述连接导体位于深孔底部。

更进一步的，在步骤1)之后，还包括：在基础结构体上形成指叉结构的步骤。

本发明的有益效果是，制备得到的半导体存储器存储密度高，并且工艺成本低，易于实现，良率高(次品率低)。

附图说明

图1是一种三维半导体可编程存储器的立体结构示意图。

图2是本发明的基础结构体的立体示意图。

图3是在基础结构体上形成指叉结构的示意图(俯视方向)。

图4是在基础结构体上开设深孔的示意图。

图5是深孔内沉积第一介质层的示意图。

图6是纵剖状态下沉积第一介质层的示意图。

图7是纵剖状态下沉积第二介质层的示意图。

图8是纵剖状态下填充核心介质层的示意图。

图9是深孔底部击穿示意图。

图10是实施例2的示意图。

图11是实施例3的示意图(隔离孔)。

图12是实施例3的示意图(隔离孔填充)。