[发明专利]复合存储器在审

专利信息
申请号: 201910109131.6 申请日: 2019-02-03
公开(公告)号: CN109902035A 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 彭泽忠 申请(专利权)人: 成都皮兆永存科技有限公司
主分类号: G06F12/0866 分类号: G06F12/0866;G06F13/40;G06F3/06;G11C7/10
代理公司: 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 代理人: 刘勋
地址: 610000 四川省成都市高新*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 可擦写非易失存储器 永久存储器单元 复合存储器 永久存储器 数据传输 闪存 存储器技术 高速传输 同一设备 控制线
【权利要求书】:

1.复合存储器,其特征在于,包括永久存储器单元和可擦写非易失存储器单元,永久存储器单元和可擦写非易失存储器单元通过数据传输控制线连接。

2.如权利要求1所述的复合存储器,其特征在于,所述永久存储器为OTP存储器,所述可擦写非易失存储器为NAND Flash存储器或者NOR Flash存储器。

3.如权利要求1所述的复合存储器,其特征在于,所述数据传输控制线为数据总线。

4.如权利要求1所述的复合存储器,其特征在于,还包括数据传输控制开关,数据传输控制开关与所述数据传输控制线连接。

5.如权利要求1所述的复合存储器,其特征在于,还包括高速缓冲存储器,所述高速缓冲存储器通过数据传输控制线与可擦写非易失存储器连接。

6.如权利要求1所述的复合存储器,其特征在于,还包括高速缓冲存储器,所述高速缓冲存储器通过数据传输控制线与永久存储器连接。

7.如权利要求3所述的复合存储器,其特征在于,还包括高速缓冲存储器,所述高速缓冲存储器与数据总线连接。

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