[发明专利]复合存储器在审

专利信息
申请号: 201910109131.6 申请日: 2019-02-03
公开(公告)号: CN109902035A 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 彭泽忠 申请(专利权)人: 成都皮兆永存科技有限公司
主分类号: G06F12/0866 分类号: G06F12/0866;G06F13/40;G06F3/06;G11C7/10
代理公司: 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 代理人: 刘勋
地址: 610000 四川省成都市高新*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 可擦写非易失存储器 永久存储器单元 复合存储器 永久存储器 数据传输 闪存 存储器技术 高速传输 同一设备 控制线
【说明书】:

复合存储器,涉及存储器技术。本发明包括永久存储器单元和可擦写非易失存储器单元,永久存储器单元和可擦写非易失存储器单元通过数据传输控制线连接。由于永久存储器和NAND等闪存处于同一设备内并直接连接,二者之间能够实现高速传输,相较于分离的闪存和永久存储器,数据传输速度明显更高。

技术领域

本发明涉及存储器技术。

背景技术

在用大容量OTP存储器disk做备份时,有些原始数据需要经过确认,筛选后才能写入OTP等永久存储器(Permanent Memory)作永久的数据备份。不用永久保存的数据将被删掉。如果所有的原始数据都存入OTP或PM存储器里,将会造成永久存储器空间的浪费。

另一方面,永久存储器的写入速度较慢,对于某些应用场景,如高清照像及高清视频录制过程中,要求记录速度非常快,一般的闪存和永久存储器的写速度跟不上,容易造成数据丢失。对于一些特定的需求,例如司法取证,直接源于摄录装置的数据和转录的副本,在法律效力上是有差异的,因此有必要开发出具有高速写入性能的永久存储器。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是,提供一种同时支持可擦写存储和永久存储的复合存储器。

本发明所要解决的第二个技术问题是,提供一种能够兼具高速写入和永久存储的复合存储器。

本发明解决所述技术问题采用的技术方案是,复合存储器,其特征在于,包括永久存储器单元和可擦写非易失存储器单元,永久存储器单元和可擦写非易失存储器单元通过数据传输控制线连接。

所述永久存储器为OTP存储器,所述可擦写非易失存储器为NAND存储器或者NOR存储器。

所述数据传输控制线为数据总线。

本发明还包括高速缓冲存储器,所述高速缓冲存储器通过数据传输控制线与可擦写非易失存储器连接。

或者,高速缓冲存储器通过数据传输控制线与永久存储器连接。

或者,高速缓冲存储器与数据总线连接。

本发明的有益效果是,支持数据在永久存储前的确认,有利于节省永久存储器的空间。以及,由于永久存储器和NAND等闪存处于同一设备内并直接连接,二者之间能够实现高速传输,相较于分离的闪存和永久存储器,数据传输速度明显更高。带有高速缓存的永久存储器能够实现在同一硬件设备之中的高速永久性存储。

附图说明

图1是本发明的实施例1的结构示意图。

图2是本发明的实施例4的结构示意图。

具体实施方式

实施例1:参见图1。

本实施例包括作为永久存储器的OTP存储器和作为可擦写非易失存储器的闪存,二者通过数据传输控制总线连接。数据传输控制总线具有外部数据接口,用于数据的输入/输出。

实施例2

本实施例与实施例1的区别是,数据传输控制总线包括一个数据传输控制开关,用于控制从闪存到OTP存储器的直接数据传输,无需经过“闪存——外部设备——OTP”之间的转换,因而可以实现高速传输。本实施例中,永久存储器单元包括了OTP存储器的寻址/写入控制模块,无需经过外部设备即可实现OTP存储器的写入。采用本实施例,仅需外部接入电源(甚至可以采用电池供电),即可实现从闪存到OTP存储器的数据传输。OTP的数据保存时间可长达100年,闪存则为数年,二者组合为同一个设备,可实现数据存储的确认。

实施例3

本实施例包括高速缓冲存储器(例如RAM)和永久存储器(例如OTP存储器),RAM和OTP存储器通过数据传输控制总线连接。

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