[发明专利]非易失性存储装置

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，其构成为，具有：

第1配线；

与所述第1配线交叉的第2配线；

存储单元，其是设置在所述第1配线与所述第2配线之间的存储单元，具有阻变存储元件与选择所述阻变存储元件的双端子开关元件的串联连接，所述阻变存储元件能够将低电阻状态和高电阻状态中的一方设定为数据；

读出电路，其在第1读出期间和第2读出期间，从所述阻变存储元件读出数据；

写入电路，其在所述第1读出期间和所述第2读出期间之间的写入期间，向所述阻变存储元件写入数据；以及

判定电路，其通过将基于在所述第1读出期间读出的数据的第1电压与基于在所述第2读出期间读出的数据的第2电压进行比较，判定在所述第1读出期间读出的数据；

在所述第1读出期间、所述写入期间和所述第2读出期间，使得相同方向的电流流过所述存储单元。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

还具有在所述第1读出期间、所述写入期间和所述第2读出期间连续地向所述存储单元提供电流的第1恒定电流源。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储装置，其特征在于，

所述第1恒定电流源包含在所述读出电路中。

4.根据权利要求2所述的非易失性存储装置，其特征在于，

还具有在所述第1读出期间的初期向所述存储单元提供电流的第2恒定电流源。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

所述第1电压是对在所述第1读出期间从所述存储单元读出的电压加上偏移电压而得到的电压。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

所述第2电压是对在所述第2读出期间从所述存储单元读出的电压加上偏移电压而得到的电压。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

所述双端子开关元件在施加于双端子间的电压大于阈值时呈低电阻状态，在施加于双端子间的电压小于阈值时呈高电阻状态。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

所述双端子开关元件含有硫属元素。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

所述阻变存储元件为磁阻效应元件。