[发明专利]电阻式存储器及控制方法

权利要求书

1.一种电阻式存储器，其特征在于，包括：

一第一存储电路，具有多个存储单元组，其中每一存储单元组具有至少一存储单元；

一验证电路，耦接至该第一存储电路，验证对所述多个存储单元中的至少一个所执行的一特定操作是否成功；

一第二存储电路，具有多个旗标位，其中每一旗标位储存对应于每一存储单元组的旗标状态；以及

一控制电路，耦接该验证电路、该第一存储电路以及该第二存储电路；

其中所述多个旗标位的每一个旗标位的初始状态为一第一旗标状态；

其中在一重置期间，该控制电路根据一存储单元组所对应的一旗标位的旗标状态决定对该存储单元组中的一第一存储单元执行一第一重置操作或是一第二重置操作，当该旗标位具有该第一旗标状态时，该控制电路执行该第一重置操作，而当该旗标位具有一第二旗标状态时，该控制电路执行该第二重置操作。

2.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，在执行该第一重置操作时，该控制电路施加一第一重置电压予该第一存储单元，并且在执行该第二重置操作时，该控制电路施加一第二重置电压予该第一存储单元，该第一重置电压大小的绝对值大于该第二重置电压大小的绝对值。

3.如权利要求2所述的电阻式存储器，其特征在于，在执行该第一重置操作的期间，该控制电路先施加该第一重置电压予该第一存储单元，该验证电路再判断该第一重置操作是否成功，当判断出该第一重置操作成功时，该控制电路结束该第一重置操作，当判断出该第一重置操作不成功时，该控制电路再施加一第三重置电压予该第一存储单元。

4.如权利要求3所述的电阻式存储器，其特征在于，该第三重置电压大小的绝对值大于等于该第一重置电压大小的绝对值。

5.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，在一设置期间，当该控制电路在施加一第一设置电压予该第一存储单元，并施加一反相设置电压予该第一存储单元后，仍无法成功设置该第一存储单元时，该控制电路设定该第一存储单元所属存储单元组对应的该旗标位为该第二旗标状态。

6.如权利要求5所述的电阻式存储器，其特征在于，当该控制电路在施加该反相设置电压后仍无法成功设置该第一存储单元时，该控制电路再施加一第二设置电压予该第一存储单元。

7.如权利要求6所述的电阻式存储器，其中该第二设置电压的大小大于该第一设置电压。

8.一种控制方法，适用于一电阻式存储器，该电阻式存储器至少包括多个存储单元组以及多个旗标位，其中每一旗标位具有对应于所述多个存储单元组中的一个存储单元组的旗标状态，其特征在于，该控制方法包括：

选择一存储单元组中的一第一存储单元；

对该第一存储单元进行一设置操作；

判断该设置操作是否成功，用以产生一判断结果；

根据该判断结果，调整该第一存储单元对应的该存储单元 组对应的旗标位；

判断对应该存储单元组的该旗标位是否具有一预设旗标状态；

当该旗标位具有该预设旗标状态时，对该第一存储单元进行一第一重置操作；以及

当该旗标位不具有该预设旗标状态时，对该第一存储单元进行一第二重置操作。

9.如权利要求8所述的控制方法，其特征在于，该第一重置操作至少包括施加一第一重置电压予该第一存储单元的步骤，并且该第二重置操作至少包括施加一第二重置电压予该第一存储单元的步骤，其中第一重置电压大小的绝对值大于该第二重置电压大小的绝对值。

10.如权利要求9所述的控制方法，其中该第一重置操作包括：

施加该第一重置电压予该第一存储单元；

判断该第一重置操作是否成功；

当判断出该第一重置操作不成功时，施加一第三重置电压予该第一存储单元。

11.如权利要求10所述的控制方法，其特征在于，该第三重置电压大小的绝对值大于等于该第一重置电压大小的绝对值。