[发明专利]电阻式存储器及控制方法

说明书

一种电阻式存储器及控制方法，该电阻式存储器包括一第一存储电路、一验证电路、一第二存储电路以及一控制电路。第一存储电路具有多个存储单元组。每一存储单元组具有至少一个存储单元。验证电路耦接至第一存储电路，验证对所述多个存储单元中至少一个所执行的一特定操作是否成功。第二存储电路具有多个旗标位。每一旗标位储存对应每一存储单元组的旗标状态。控制电路耦接验证电路、第一存储电路以及第二存储电路。所述多个旗标位的每一个旗标位的初始状态为第一旗标状态。在一重置期间，控制电路根据一存储单元组所对应的一旗标位的旗标状态决定对存储单元组中的一第一存储单元执行一第一重置操作或是一第二重置操作。

技术领域

本发明有关于一种存储装置，特别是有关于一种电阻式存储器及控制方法。

背景技术

非易失性存储器具有存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此是许多电器产品维持正常操作所必备的存储器件元件。目前，电阻式存储器是业界积极发展的一种非易失性存储器，其具有写入操作电压低、写入抹除时间短、记忆时间长、非破坏性读取、多状态存储、结构简单以及体积小等优点，未来在个人电脑和电子设备上极具应用潜力。

一般来说，电阻式存储器需要具有明显的感测窗(sense window)，使电阻式存储器具有明显的数据鉴别度。一种已知方法是，可通过在重置操作时施加较大的重置电压以得到明显的感测窗。然而，持续使用较大的重置电压进行重置操作虽可得到明显的感测窗，但却会使得装置快速劣化，降低装置的耐操度(endurance)。

发明内容

本发明提供一种电阻式存储器，包括一第一存储电路、一验证电路、一第二存储电路以及一控制电路。第一存储电路具有多个存储单元组。每一存储单元组具有至少一个存储单元。验证电路耦接至第一存储电路，验证对所述多个存储单元中的至少一个所执行的一特定操作是否成功。第二存储电路具有多个旗标位。每一旗标位储存对应于每一存储单元组的旗标状态。控制电路耦接验证电路、第一存储电路以及第二存储电路。所述多个旗标位的每一个旗标位的初始状态为一第一旗标状态。在一重置期间，控制电路根据一存储单元组所对应的一旗标位的旗标状态决定对存储单元组中的一第一存储单元执行一第一重置操作或是一第二重置操作。当旗标位具有第一旗标状态时，控制电路执行第一重置操作。当旗标位具有一第二旗标状态时，控制电路执行第二重置操作。

本发明另提供一种控制方法，适用于一种电阻式存储器。电阻式存储器至少包括多个存储单元组以及多个旗标位。每一旗标位具有对应于所述多个存储单元组中的一个存储单位组的旗标状态。本发明提出的控制方法包括：选择一存储单元组中的一第一存储单元；判断对应该存储单元组的该旗标位是否具有一预设旗标状态；当该旗标位具有该预设旗标状态时，对该存储单元进行一第一重置操作；以及当该旗标位不具有该预设旗标状态时，对该存储单元进行一第二重置操作。

本发明能判断任一存储单元是否出现劣化的现象，且可增加电阻式存储器的耐受力、可靠度及性能。

附图说明

图1为本发明的电阻式存储器的一可能实施例；

图2为本发明的电阻式存储器的设置方法的流程示意图；

图3为本发明的电阻式存储器的设置方法的另一流程示意图；

图4为本发明的电阻式存储器的重置方法的流程示意图。

附图标记：

100：电阻式存储器

110：控制电路

120：验证电路

130、140：存储电路

131～13m：存储单元

MG0～MGn：存储单元组

F0～Fn：旗标位

Vs1、Vs2：设置电压