[发明专利]裸芯结合方法有效
申请号: | 201910110178.4 | 申请日: | 2019-02-11 |
公开(公告)号: | CN110164777B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 金昶振;金应锡 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人: | 余文娟 |
地址: | 韩国忠清南道天*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 结合 方法 | ||
1.一种裸芯结合方法,包括:
准备包括可用裸芯的晶圆,所述可用裸芯分别根据操作性能指定等级;
将所述可用裸芯划分到多个结合组中;以及
将所述结合组中的可用裸芯结合到衬底上,
其中各所述结合组包括所述可用裸芯中一个或零个最低等级的裸芯,并且所述结合组中包括所述最低等级裸芯的结合组不包括等级比所述最低等级高一级的裸芯。
2.如权利要求1所述的裸芯结合方法,其中属于各所述结合组的裸芯彼此相邻地定位。
3.如权利要求1所述的裸芯结合方法,其中将所述可用裸芯划分到所述结合组中包括:
检测出所述可用裸芯中具有所述最低等级的裸芯;
将各第一结合组设置为包括一个具有所述最低等级的裸芯;以及
将除所述第一结合组之外的剩余裸芯划分到第二结合组中。
4.如权利要求3所述的裸芯结合方法,其中属于各所述第一结合组的裸芯彼此相邻地定位,所述第一结合组包括所述最低等级的裸芯。
5.如权利要求1所述的裸芯结合方法,其中属于各所述结合组的裸芯堆叠在所述衬底上,以便形成多芯片半导体器件。
6.如权利要求1所述的裸芯结合方法,其中在每个所述裸芯的下表面上设置裸芯附接膜。
7.如权利要求1所述的裸芯结合方法,还包括确定所述结合组的结合顺序。
8.如权利要求1所述的裸芯结合方法,其中结合所述结合组中的所述裸芯包括:
使用相机检测待拾取的裸芯;
从所述晶圆拾取检测到的裸芯;以及
将拾取的裸芯结合到所述衬底上,
其中在所述相机未检测到待拾取的裸芯时,中断所述结合步骤,对所述晶圆上的剩余裸芯再次执行所述划分步骤,然后重新开始所述结合步骤。
9.一种裸芯结合方法,包括:
准备包括可用裸芯的晶圆,所述可用裸芯分别根据操作性能指定等级;
将所述可用裸芯划分到至少一个第一结合组和多个第二结合组中;
将属于所述至少一个第一结合组的裸芯结合到第一衬底上;以及
将属于所述多个第二结合组的裸芯结合到第二衬底上,
其中所述至少一个第一结合组包括所述可用裸芯中一个最低等级裸芯,并且所述多个第二结合组不包括所述最低等级裸芯。
10.如权利要求9所述的裸芯结合方法,其中所述至少一个第一结合组不包括等级比所述最低等级高一级的裸芯。
11.如权利要求9所述的裸芯结合方法,其中属于所述至少一个第一结合组和所述多个第二结合组的裸芯分别堆叠在所述第一和第二衬底上,以形成多芯片半导体器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于细美事有限公司,未经细美事有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910110178.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造