[发明专利]裸芯结合方法

说明书

本发明公开了一种裸芯结合方法。所述裸芯结合方法可包括：准备包括裸芯的晶圆，所述裸芯分别根据操作性能指定等级；将裸芯划分到多个结合组中；以及将结合组中的裸芯结合到衬底上。特别地，每个结合组可包括一个或零个最低等级的裸芯。

技术领域

本发明的实施例涉及裸芯结合方法。更具体地，本发明的实施例涉及以堆叠方式将裸芯结合到衬底上以制造多芯片半导体器件的裸芯结合方法。

背景技术

通常，通过重复执行一系列制造工艺，半导体器件可在用作半导体衬底的硅晶圆上形成。如上所述形成的半导体器件可通过切割工艺个体化，并可通过裸芯结合工艺结合至衬底。

用于执行裸芯结合工艺的设备可包括：用于支撑晶圆的晶圆台，用于支撑衬底的衬底台，以及用于从晶圆拾取裸芯并根据结合谱将裸芯结合到衬底上的结合单元。

同时，在结合工艺之前可由探针台和测试器对裸芯执行电检查工艺，并且根据电检查工艺的结果可对裸芯指定多个等级。例如，当根据由电检查工艺确定的操作性能对裸芯指定五个或更多等级时，等级为1或2的裸芯可通过裸芯结合工艺制造成半导体器件，等级为3或更低等级的裸芯可丢弃。

然而，当多个裸芯根据结合谱堆叠在衬底上以制造多芯片半导体器件时，也可使用等级相对较低的裸芯。当如上所述使用等级如此低的裸芯时，可提高半导体器件的产量，但难以有效地执行裸芯结合工艺。

发明内容

本发明的实施例提供了一种裸芯结合方法，其能够在使用分别根据操作性能指定了等级的裸芯制造多芯片半导体器件时更有效地将裸芯结合到衬底上。

根据本发明的一个方面，裸芯结合方法可包括：准备包括裸芯的晶圆，所述裸芯分别根据操作性能指定了等级；将裸芯划分到多个结合组中；以及将结合组中的裸芯结合到衬底上。特别地，每个结合组可包括一个或零个最低等级的裸芯。

根据本发明的一些示例性实施例，结合组中包括最低等级裸芯的结合组可不包括等级比最低等级高一级的裸芯。

根据本发明的一些示例性实施例，属于每个结合组的裸芯可彼此相邻地定位。

根据本发明的一些示例性实施例，将裸芯划分到结合组中可包括：检测出裸芯中具有最低等级的裸芯；将每个第一结合组设置为包括一个最低等级的裸芯，以及将除第一结合组之外的剩余裸芯划分到第二结合组中，其中每个第一结合组可不包括等级比最低等级高一级的裸芯。

根据本发明的一些示例性实施例，属于包括最低等级裸芯的各第一结合组中的裸芯可彼此相邻地定位。

根据本发明的一些示例性实施例，属于各结合组的裸芯可堆叠在衬底上，以便形成多芯片半导体器件。

根据本发明的一些示例性实施例，裸芯附接膜可设置在每个裸芯的下表面上。

根据本发明的一些示例性实施例，裸芯结合方法还可包括确定结合组的结合顺序。

根据本发明的一些示例性实施例，结合结合组中的裸芯可包括：使用相机检测待拾取的裸芯；从晶圆拾取检测到的裸芯；以及将拾取的裸芯结合到衬底上，其中在相机未检测到待拾取的裸芯时，可中断结合步骤，对晶圆上的剩余裸芯再次执行划分步骤，然后可重新开始结合步骤。

根据本发明的另一个方面，裸芯结合方法可包括：准备包括裸芯的晶圆，所述裸芯分别根据操作性能指定等级；将裸芯划分到至少一个第一结合组和多个第二结合组中；将属于至少一个第一结合组中的裸芯结合到第一衬底上，以及将属于多个第二结合组中的裸芯结合到第二衬底上，其中，至少一个第一结合组可包括一个最低等级的裸芯，并且多个第二结合组可不包括最低等级的裸芯。

根据本发明的一些示例性实施例，至少一个第一结合组可不包括等级比最低等级高一级的裸芯。