[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：支撑层、谐振器本体和支撑体；

所述薄膜体声波谐振器包括器件区和围绕所述器件区的非器件区，所述谐振器本体位于所述器件区内的所述支撑层上；

所述非器件区内的所述支撑层包括多个条状的弯折结构，所述弯折结构向背离所述谐振器本体的一侧弯折；

所述非器件区包括第一子区域和围绕所述第一子区域的第二子区域，所述支撑体设置于所述第二子区域内的所述支撑层背离所述谐振器本体的一侧；

其中，所述弯折结构的延伸方向与所述支撑层的径向方向之间的夹角不为零，且位于所述谐振器本体同一侧的所述弯折结构相互之间无交叠。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑层的材料为氮化硅或氧化硅；所述支撑体的材料为单晶硅。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑层的厚度大于或等于0.1μm，且小于或等于3.0μm。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器本体包括依次层叠于所述支撑层上的第一金属层、压电材料层以及第二金属层。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑层边缘上的任一边沿点到所述支撑层几何中心的距离为第一距离；沿所述边沿点与几何中心的形成的线段延伸方向，所述边沿点到所述器件区的边缘的距离为第二距离；

所述第二距离与所述第一距离的比值的取值范围大于或等于0.3，且小于或等于0.5。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，沿垂直于所述弯折结构的延伸方向，所述弯折结构的截面为“V”型或“U”型。

7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述弯折结构的宽度的取值小于或等于15μm，所述弯折结构的弯折距离的取值小于或等于5μm。

8.一种薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底层；其中，所述衬底层包括器件区和围绕所述器件区设置的非器件区；

在所述非器件区内的所述衬底层的一侧形成多个凹槽；其中，所述凹槽的延伸方向与所述衬底层的径向方向之间的夹角不为0，且位于所述器件区同一侧的所述凹槽相互之间无交叠；

在所述衬底层形成有所述凹槽的一侧形成支撑层；其中，所述支撑层包括多个条状的弯折结构，所述弯折结构与所述凹槽一一对应，所述弯折结构的延伸方向与所述凹槽的延伸方向相同，且向背离所述谐振器本体的一侧弯折；

在所述器件区内的所述支撑层远离所述衬底层的一侧形成谐振器本体；

所述非器件区包括第一子区域和围绕所述第一子区域设置的第二子区域，去除所述器件区以及所述第一子区域内的所述衬底层。

9.根据权利要求8所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述衬底层的材料为单晶硅，所述衬底层用于形成所述凹槽的表面为第一表面，所述第一表面为抛光面。

10.根据权利要求8所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述衬底层的材料为单晶硅，所述衬底层用于形成所述凹槽的表面为第一表面，所述第一表面以及与所述第一表面的相对的第二表面均为抛光面。

11.根据权利要求8或9所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述在所述非器件区内的所述衬底层的一侧形成多个凹槽，包括：

对所述衬底层的抛光面进行氧化处理，以使所述衬底层中所述抛光面所在一侧形成氧化层；

图案化所述第一表面侧的所述氧化层，以形成多个条状通孔；

以图形化后的所述氧化层为掩膜，刻蚀所述衬底层，以在所述衬底层上形成多个所述凹槽；

去除剩余的所述氧化层。