[发明专利]一种卷绕式真空镀膜机在审
申请号: | 201910111807.5 | 申请日: | 2019-02-12 |
公开(公告)号: | CN109554680A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 李正平;李成林 | 申请(专利权)人: | 浙江德佑新材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/56;C23C14/58 |
代理公司: | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 | 代理人: | 韩国胜 |
地址: | 314000 浙江省嘉兴市经济技术开发区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜室 镀膜 卷绕式真空镀膜机 再处理系统 镀膜辊 镀膜箱 再处理 薄膜 溅射镀膜工艺 真空镀膜技术 蒸发镀膜工艺 室内 真空镀膜机 真空热处理 表面形貌 复合薄膜 工作流程 加速薄膜 冷却处理 制备工艺 磁控靶 可改变 收卷辊 展平辊 蒸发源 卷辊 制备 成型 隔离 优化 | ||
1.一种卷绕式真空镀膜机,其特征在于:
该真空镀膜机包括有再处理箱(1)及镀膜箱,再处理箱(1)包括起卷辊(2)、收卷辊(9)和再处理系统,所述再处理系统包括有多个展平辊(5)及温度控制辊,所述温度控制辊分别为第一温度控制辊(4)、第二温度控制辊(6)和第三温度控制辊(7);所述镀膜箱包括镀膜室,镀膜室包括第一镀膜室(21)、第二镀膜室(14)和第三镀膜室(10)。
2.根据权利要求1所述的卷绕式真空镀膜机,其特征在于:
所述第一镀膜室(21)中包括第一镀膜辊(20)和第一镀膜室磁控靶(19),所述第一镀膜室磁控靶(19)设置在所述第一镀膜辊(20)正下方位置。
3.根据权利要求2所述的卷绕式真空镀膜机,其特征在于:
所述第二镀膜室(14)中包括第二镀膜辊(17)和蒸发源(16),所述蒸发源(16)设置在所述第二镀膜辊(17)正下方位置。
4.根据权利要求3所述的卷绕式真空镀膜机,其特征在于:
所述第三镀膜室(10)中包括第三镀膜辊(13)和第三镀膜室磁控靶(11),所述第三镀膜室磁控靶(11)设置在所述第三镀膜辊(13)正下方位置。
5.根据权利要求4所述的卷绕式真空镀膜机,其特征在于:
所述再处理箱(1)与镀膜箱之间设置有隔板(22),所述第一镀膜辊(20)、第二镀膜辊(17)和第三镀膜辊(13)设置在隔板(22)上,各镀膜辊与隔板(22)的连接位置处存在间隙,间隙宽度为1-3mm。
6.根据权利要求1所述的卷绕式真空镀膜机,其特征在于:
所述再处理箱(1)中还设置有两个传感器辊,分别为第一传感器辊(3)和第二传感器辊(8),所述第一传感器辊(3)放置在放卷辊(2)的下方,第二传感器辊(8)放置在收卷辊(9)的上方。
7.根据权利要求1所述的卷绕式真空镀膜机,其特征在于:
所述温度控制辊表面温度范围为0-800℃,其发热方式为内部发热丝产热。
8.根据权利要求1所述的卷绕式真空镀膜机,其特征在于:
所述再处理箱(1)中设有多个通气管道,通气管道均充入惰性保护气体;
所述第一镀膜室(20)、第二镀膜室(17)和第三镀膜室(13)中设有布气管道,分别为第一布气管道(18)、第二布气管道(15)和第三布气管道(12),其中第一布气管道(18)和第三布气管道(12)充入氩气工作气体,所述第二布气管道(15)充入惰性保护气体。
9.根据权利要求1所述的卷绕式真空镀膜机,其特征在于:
所述再处理箱(1)、第一镀膜室(21)、第二镀膜室(14)和第三镀膜室(10)中均设置有真空计(23)。
10.一种包括权利要求1-9任意一项所述的真空镀膜工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1:将基材卷在放卷辊上,并依次卷绕过传感器辊、镀膜辊和温度控制辊,最终收入到收卷辊中,基材在传感器辊和镀膜辊之间,镀膜辊和温度控制辊之间卷绕过多个平展辊;
S2:根据所镀膜基材的特征设置每种材料的工艺参数,包括真空度、工作气体种类及流量、镀膜温度、速度及再处理温度,对基材进行镀膜。
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