[发明专利]一种向微型发光二极管阵列涂覆量子点的方法在审
| 申请号： | 201910112376.4 | 申请日： | 2019-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN109817792A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 殷录桥;张豆豆;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 杜阳阳 |
| 地址： | 200000*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 涂覆区域 量子点 涂覆 掩膜版 微型发光二极管 刻蚀 凹型区域 光刻胶 预设 有机溶剂去除 涂覆效率 预设颜色 镂空位置 掩模版 旋涂 匹配 印刷 制作 | ||
【权利要求书】：
1.一种向微型发光二极管阵列涂覆量子点的方法，其特征在于，所述方法包括：
将微型发光二极管阵列刻蚀面划分为三个区域；
将所述三个区域依次作为待涂覆区域；
采用光刻胶对所述待涂覆区域之外的两个区域进行涂覆；
采用刻蚀法将所述待涂覆区域刻蚀成一个凹型区域；
确定所述待涂覆区域上量子点的预设分布；
制作与所述待涂覆区域上量子点的预设分布相匹配的掩膜版，将所述掩膜版放置在所述凹型区域内；
采用有机溶剂去除所述待涂覆区域之外的两个区域上的所述光刻胶；
将与所述待涂覆区域对应的预设颜色量子点通过所述掩膜版上的镂空位置涂覆在所述待涂覆区域上；
去掉所述掩膜版。
2.根据权利要求1所述的向微型发光二极管阵列涂覆量子点的方法，其特征在于，所述三个区域分别为红色量子点涂覆区域、绿色量子点涂覆区域和蓝色量子点涂覆区域。
3.根据权利要求1所述的向微型发光二极管阵列涂覆量子点的方法，其特征在于，所述将与所述待涂覆区域对应的预设颜色量子点通过所述掩膜版上的镂空位置涂覆在所述待涂覆区域上，具体包括：使用旋涂、喷涂、印刷或蒸镀的方法将所述预设颜色量子点涂覆在所述待涂覆区域上。
4.根据权利要求1所述的向微型发光二极管阵列涂覆量子点的方法，其特征在于，所述刻蚀法包括干法刻蚀和湿法刻蚀。
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