[发明专利]一种向微型发光二极管阵列涂覆量子点的方法

说明书

本发明公开了一种向微型发光二极管阵列涂覆量子点的方法，所述方法包括：将微型发光二极管阵列刻蚀面划分为三个区域；将三个区域依次作为待涂覆区域；采用光刻胶对待涂覆区域之外的两个区域进行涂覆；采用刻蚀法将待涂覆区域刻蚀成一个凹型区域；确定待涂覆区域上量子点的预设分布；制作与待涂覆区域上量子点的预设分布相匹配的掩膜版，将掩膜版放置在凹型区域内；采用有机溶剂去除待涂覆区域之外的两个区域上的光刻胶；将与待涂覆区域对应的预设颜色量子点通过掩膜版上的镂空位置涂覆在待涂覆区域上；去掉掩膜版。本发明借助掩模版进行量子点的印刷或旋涂，实现量子点的均匀快速涂覆，提高了量子点的涂覆效率和涂覆质量。

技术领域

本发明涉及旋涂量子点技术领域，特别是涉及一种向微型发光二极管阵列涂覆量子点的方法。

背景技术

目前，旋涂量子点技术和其他现有的半导体处理方法有导致RGB像素交叉污染的问题；虽然印模印刷可以产生高效的多色像素化量子点，但是，工艺过程过于复杂，材料损耗程度比较高，成本过于昂贵，对于使用气溶胶喷射印刷技术在微型发光二极管(Micro-LED)阵列上均匀喷射量子点，则存在喷射量子点的速率慢的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种向微型发光二极管阵列涂覆量子点的方法，借助掩模版进行量子点的印刷或旋涂，实现量子点的均匀快速涂覆，提高了量子点的涂覆效率和涂覆质量。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

一种向微型发光二极管阵列涂覆量子点的方法，所述方法包括：

将微型发光二极管阵列刻蚀面划分为三个区域；

将所述三个区域依次作为待涂覆区域；

采用光刻胶对所述待涂覆区域之外的两个区域进行涂覆；

采用刻蚀法将所述待涂覆区域刻蚀成一个凹型区域；

确定所述待涂覆区域上量子点的预设分布；

制作与所述待涂覆区域上量子点的预设分布相匹配的掩膜版，将所述掩膜版放置在所述凹型区域内；

采用有机溶剂去除所述待涂覆区域之外的两个区域上的所述光刻胶；

将与所述待涂覆区域对应的预设颜色量子点通过所述掩膜版上的镂空位置涂覆在所述待涂覆区域上；

去掉所述掩膜版。

可选的，所述三个区域分别为红色量子点涂覆区域、绿色量子点涂覆区域和蓝色量子点涂覆区域。

可选的，所述将与所述待涂覆区域对应的预设颜色量子点通过所述掩膜版上的镂空位置涂覆在所述待涂覆区域上，具体包括：使用旋涂、喷涂、印刷或蒸镀的方法将所述预设颜色量子点涂覆在所述待涂覆区域上。

可选的，所述刻蚀法包括干法刻蚀和湿法刻蚀。

根据本发明提供的发明内容，本发明公开了以下技术效果：本发明公开了一种向微型发光二极管阵列涂覆量子点的方法，借助与所述待涂覆区域上量子点的预设分布相匹配的掩膜版将预设颜色量子点涂覆在待涂覆区域上，不用单个量子点进行印刷，实现了单色量子点的一次性全部印刷，因此，本发明实现了量子点的均匀快速涂覆，避免了像素交叉污染的同时提高了量子点的涂覆效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例一种向微型发光二极管阵列涂覆量子点的方法流程示意图；

图2为本发明实施例掩膜版俯视图的示意图；