[发明专利]一种光耦芯片SSR集成电路及平面型框架

权利要求书

1.一种光耦芯片SSR集成电路，其特征在于它包括平面型框架、发光件、光电接收件、内封装体以及外封装体，发光件以及光电接收件设置于平面型框架上并且两者位于同一平面，发光件以及光电接收件通过内封装体进行包覆固定，外封装体包覆于内封装体，外封装体与内封装体的界面形成一个向下凹的反射曲面，外封装体的颜色为白色，内封装体的颜色为透明，上述界面使得发光件发出的光线能够充分的经过界面的反射被光电接收件进行接收。

2.根据权利要求1所述的一种光耦芯片SSR集成电路，其特征在于所述平面型框架上设置有第一岛和第二岛，其中第一岛用来安装发光件，第二岛用来安装光电接收件；所述平面型框架上还设置有第三岛，第三岛用来安装功率器件。

3.根据权利要求1所述的一种光耦芯片SSR集成电路，其特征在于发光件与光电接收件所处的导体区之间有一个隔离距离D，D的范围是3mm至10mm。

4.根据权利要求3所述的一种光耦芯片SSR集成电路，其特征在于D的范围是4mm-6mm。

5.根据权利要求1所述的一种光耦芯片SSR集成电路，其特征在于平面型框架里所有的尖端都做成倒角结构，倒角的半径设为2mm-10mm之间。

6.根据权利要求1所述的一种光耦芯片SSR集成电路，其特征在于外封装体的白色封装材料对可见光的吸收系数小于0.1。

7.根据权利要求1所述的一种光耦芯片SSR集成电路，其特征在于内封装体的形状为扁球体，扁球体形成的光通路的上半段为工作段，工作段的高度为H，为了满足光路的传输要求，发光件与光电接收件所处的导体区之间有一个隔离距离D，需要满足0.5H<D<5H。

8.一种光耦芯片SSR集成电路的生产方法，其特征在于：

a、框架准备

进行平面型框架的生产；平面型框架上具有第一岛、第二岛和第三岛，第一岛和第二岛之间的距离D的范围是3mm至10mm，平面型框架里所有的尖端都做成倒角结构，倒角的半径设为2mm-10mm之间；

b、芯片装配

在平面型框架上的第一岛安装发光件，第二岛安装光电接收件，第三岛安装功率器件；

此时发光件为平面装配，垂直于衬底发射光，光电接收件不能接收到光信号；

c、键合引线

d、滴胶

在第一岛和第二岛之间用绝缘的硅胶覆盖上形成内封装体，绝缘的硅胶形成球面，这样就在第一岛和第二岛之间建立起光通路，可以进行平面内光信号的传输；

此步骤中硅胶滴胶采用具有电绝缘性的硅胶，使用自动矩阵式点胶机，将两个芯片表面及键合丝完全覆盖上，然后进行固化，固化温度选用25至150摄氏度，固化时间为5分钟至5小时，固化后绝缘胶形成球面，这样就在第一岛和第二岛之间建立起光路，可以进行平面内光信号的传输；

e、封装

采用白色封装料进行封装形成外封装体，对于透过绝缘胶的光线，只会起到反射的作用，不会吸收光线，从而提高了光传输比；

该封装料以环氧树脂及酚醛树脂为主要有机成份，在其中添加高纯度多晶TiO2，高纯度多晶TiO2的含量占总重量的1％至10％，外封装体206的塑封体厚度不低于0.5mm。

9.根据权利要求9所述的一种光耦芯片SSR集成电路的生产方法，其特征在于：固化时间1小时至2小时，固化温度在100-150摄氏度。

10.一种平面型框架，其特征在于平面型框架里所有的尖端都做成倒角结构，倒角的半径设为2mm-10mm之间。