[发明专利]一种刻蚀图形的形成方法及半导体器件

权利要求书

1.一种刻蚀图形的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀层，在所述待刻蚀层上形成第一刻蚀图形和介质层图形，所述第一刻蚀图形位于所述介质层图形与所述待刻蚀层之间，且所述第一刻蚀图形在所述待刻蚀层上的投影位于所述介质层图形在所述待刻蚀层上的投影区域内；

在所述第一刻蚀图形的两侧分别形成第二刻蚀图形，所述第二刻蚀图形靠近所述第一刻蚀图形的侧壁与所述介质层图形的侧壁平齐。

2.根据权利要求1所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，在所述待刻蚀层上形成第一刻蚀图形和介质层图形，包括：

在所述待刻蚀层上沿远离所述待刻蚀层的方向依次沉积形成第一介质层、第二介质层、掩膜层和光刻胶图案；

经由所述光刻胶图案和所述掩膜层刻蚀所述第二介质层形成所述介质层图形，刻蚀所述第一介质层形成所述第一刻蚀图形。

3.根据权利要求2所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，在所述待刻蚀层上形成第一刻蚀图形和介质层图形，还包括：

在所述第二介质层远离所述待刻蚀层的一侧形成牺牲材料层，在所述牺牲材料层上沉积所述掩膜层和光刻胶图案；

经由所述光刻胶图案和所述掩膜层刻蚀所述牺牲材料层，刻蚀所述第二介质层形成所述介质层图形，刻蚀所述第一介质层形成所述第一刻蚀图形。

4.根据权利要求1所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，在所述第一刻蚀图形的两侧分别形成第二刻蚀图形，包括：

在所述待刻蚀层上，环绕所述介质层图形和所述第一刻蚀图形的侧壁沉积薄膜层；

移除所述介质层图形；

刻蚀所述介质层图形在所述待刻蚀层上的投影区域内的所述薄膜层至所述待刻蚀层。

5.根据权利要求4所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，还包括：刻蚀与所述介质层图形的侧壁对应的所述薄膜层。

6.根据权利要求4所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，在所述待刻蚀层上，环绕所述介质层图形和所述第一刻蚀图形的侧壁沉积薄膜层的同时，还包括：

在所述介质层图形远离所述待刻蚀层的一侧沉积所述薄膜层；且在所述相邻的两个第一刻蚀图形之间的所述待刻蚀层的表面沉积所述薄膜层；

在去除所述介质层图形之前还包括：

刻蚀所述在所述介质层图形远离所述待刻蚀层的一侧沉积的所述薄膜层，及刻蚀在所述相邻的两个第一刻蚀图形之间的所述待刻蚀层的表面沉积的所述薄膜层。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀图形在所述待刻蚀层上的投影位于所述介质层图形在所述待刻蚀层上的投影的区域内，包括：

所述第一刻蚀图形沿所述待刻蚀层长度方向上的宽度，小于所述介质层图形沿所述待刻蚀层长度方向上的宽度；

且所述第一刻蚀图形在所述待刻蚀层上的投影位于靠近所述介质层图形在所述待刻蚀层上的投影区域的中部位置。

8.根据权利要求2所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，所述第一介质层为硅，所述第二介质层为锗化硅。

9.根据权利要求3所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，所述牺牲材料层为旋涂碳层。

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括待刻蚀层，所述待刻蚀层上具有用于刻蚀所述待刻蚀层的刻蚀图形，所述刻蚀图形基于权利要求1-9之一所述的刻蚀图形的形成方法形成。