[发明专利]沟渠式功率电晶体及其制作方法

权利要求书

1.一种沟渠式功率电晶体，包含：半导体基体，具有一顶面及至少一主动部，其特征在于：该至少一主动部包含：

栅极沟渠结构，具有自该顶面向下延伸并界定出栅极沟渠的围壁、由绝缘材料构成并延伸覆盖该围壁表面的第一隔离层、由绝缘材料构成，填置于该栅极沟渠并覆盖该第一隔离层的隔离单元、位于该栅极沟渠的底部的屏蔽电极，及位于该屏蔽电极上方的栅极电极，其中，该隔离单元具有介于该顶面与该栅极沟渠的底部之间的上隔离区，及介于该上隔离区与该栅极沟渠的底部之间的下隔离区，该下隔离区具有自该第一隔离层表面依序形成的第二隔离层及第三隔离层，该第二隔离层是氮化物，且该第二隔离层与该第三隔离层是由不同的绝缘材料构成，该屏蔽电极位于该下隔离区并被该第三隔离层包覆，该上隔离区具有由绝缘材料构成，覆盖该第一隔离层表面及该下隔离区表面，且构成材料与该第二隔离层不同的第四隔离层，该栅极电极位于该上隔离区，该栅极电极的周面被该第四隔离层包覆且顶面会自该栅极沟渠对外露出；

井区，自该顶面向下并延伸至该栅极沟渠结构；及

源极，形成在该井区内，并延伸至该栅极沟渠结构；

其中，该半导体基体还包括环围该至少一主动部的边缘终端结构，具有自该顶面向下延伸并界定出终端沟渠的围绕面，由绝缘材料构成并填置于该终端沟渠的绝缘单元，及被该绝缘单元包覆的导电部，该导电部自邻近该终端沟渠的底面向上延伸，且高度不小于该终端沟渠的深度的1/2。

2.根据权利要求1所述的沟渠式功率电晶体，其特征在于：该第三隔离层及该第四隔离层是氧化物。

3.根据权利要求1所述的沟渠式功率电晶体，其特征在于：该第一隔离层是氧化物。

4.根据权利要求1所述的沟渠式功率电晶体，其特征在于：该绝缘单元由绝缘材料构成，具有自该围绕面的表面依序形成的第一阻绝层、第二阻绝层，及第三阻绝层，该第二阻绝层与该第三阻绝层是由不同的绝缘材料构成，且该导电部被该第三阻绝层包覆。

5.根据权利要求4所述的沟渠式功率电晶体，其特征在于：该第一阻绝层与该第三阻绝层是氧化物，该第二阻绝层是氮化物。

6.根据权利要求1所述的沟渠式功率电晶体，其特征在于：还包含覆盖该半导体基体的顶面的绝缘层，及穿过该绝缘层用于对外电连接的导电单元，该导电单元具有与该源极成欧姆接触的源极导电插塞、与该栅极电极成欧姆接触的栅极导电插塞，及与该导电部成欧姆接触的终端导电插塞。

7.根据权利要求1所述的沟渠式功率电晶体，其特征在于：该半导体基体具有多个主动部，且该半导体基体还包含介于相邻的两个主动部之间的至少一整流结构，该至少一整流结构具有与该半导体基体成萧特基接触的萧特基导电插塞。