[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910114968.X | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111129121A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 蔣昕志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
块状氧化物，设置在半导体衬底之上；
半导体区，设置在所述块状氧化物之上；
下部源极区及下部漏极区，其中所述下部源极区及所述下部漏极区位于所述块状氧化物上方且直接接触所述块状氧化物，并且所述下部源极区与所述下部漏极区通过所述半导体区的下部部分在横向上间隔开；
上部源极区及上部漏极区，所述上部源极区耦合到所述下部源极区，所述上部漏极区耦合到所述下部漏极区，其中所述上部源极区通过所述半导体区的上部部分而在横向上与所述上部漏极区间隔开，且其中所述上部源极区及所述上部漏极区在垂直方向上与所述下部源极区及所述下部漏极区间隔开；
栅极氧化物，设置在所述半导体区的所述上部部分之上；
栅极电极，设置在所述栅极氧化物正上方，所述栅极电极耦合到所述半导体衬底；
第一沟道区，位于所述半导体区的所述下部部分内、所述块状氧化物上方以及所述下部源极区与所述下部漏极区之间；以及
第二沟道区，位于所述半导体区的所述上部部分内、所述栅极氧化物下方以及所述上部源极区与所述上部漏极区之间，其中所述第二沟道区平行于所述第一沟道区。
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