[发明专利]半导体装置

说明书

在一些实施例中，本公开涉及一种半导体装置，所述半导体装置包括位于块状氧化物之上的半导体区，所述块状氧化物位于半导体衬底之上。在所述块状氧化物上方有下部源极区，所述下部源极区通过所述半导体区的下部部分而在横向上与下部漏极区间隔开。上部源极区通过半导体区的上部部分而在横向上与上部漏极区间隔开且在垂直方向上与所述下部源极区及所述下部漏极区间隔开。所述上部源极区耦合到所述下部源极区，且所述上部漏极区耦合到所述下部漏极区。耦合到所述半导体衬底且位于栅极氧化物之上的栅极电极位于所述半导体区的所述上部部分上方。所述半导体区的所述下部部分及所述上部部分分别包括第一沟道区及第二沟道区。

技术领域

本发明实施例是涉及半导体装置。

背景技术

随着技术快速进步，工程师们致力于使装置更小、但更复杂以改善并开发更高效、更可靠且具有更多能力的电子装置。实现这些目标的一种方式是通过改善晶体管的设计，因为电子装置包括大量的晶体管，这些晶体管一同施行装置的功能。整体电子装置性能可因晶体管例如更小、功耗更低且具有更快的开关速度而受益。

发明内容

在一些实施例中，本公开涉及一种半导体装置，所述半导体装置包括：块状氧化物，设置在半导体衬底之上；半导体区，设置在所述块状氧化物之上；下部源极区及下部漏极区，其中所述下部源极区及所述下部漏极区位于所述块状氧化物上方且直接接触所述块状氧化物，并且所述下部源极区与所述下部漏极区通过所述半导体区的下部部分在横向上间隔开；上部源极区及上部漏极区，所述上部源极区耦合到所述下部源极区，所述上部漏极区耦合到所述下部漏极区，其中所述上部源极区通过所述半导体区的上部部分而在横向上与所述上部漏极区间隔开，且其中所述上部源极区及所述上部漏极区在垂直方向上与所述下部源极区及所述下部漏极区间隔开；栅极氧化物，设置在所述半导体区的所述上部部分之上；栅极电极，设置在所述栅极氧化物正上方，所述栅极电极耦合到所述半导体衬底；第一沟道区，位于所述半导体区的所述下部部分内、所述块状氧化物上方以及所述下部源极区与所述下部漏极区之间；以及第二沟道区，位于所述半导体区的所述上部部分内、所述栅极氧化物下方以及所述上部源极区与所述上部漏极区之间，其中所述第二沟道区平行于所述第一沟道区。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A到图1D示出了具有包括两个沟道区的晶体管的集成芯片的一些实施例的剖视图。

图2A到图2B示出了具有包括四个沟道区的晶体管的集成芯片的一些附加实施例的剖视图。

图3到图11示出了形成具有包括两个沟道区的晶体管的集成芯片的方法的一些实施例的剖视图。

图12示出了形成具有包括两个沟道区的晶体管的集成芯片的方法的一些实施例的流程图。

图13到图22示出了形成具有包括四个沟道区的晶体管的集成芯片的方法的一些附加实施例的剖视图。

图23示出了形成具有包括四个沟道区的晶体管的集成芯片的方法的一些附加实施例的附加流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及配置形式的具体实例以简化本公开内容。当然，这些仅为实例而并非旨在进行限制。例如，在以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征以使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开内容可能在各种实例中重复使用参考编号和/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而并非自身表示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。