[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201910115499.3 | 申请日: | 2019-02-14 |
公开(公告)号: | CN109801952B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 张合静;莫琼花;卓恩宗 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
透光基板;
金属氧化物半导体层,设于所述透光基板上方;
栅极绝缘层,设于所述金属氧化物半导体层上方且覆盖所述金属氧化物半导体层的部分区域,所述金属氧化物半导体层被所述栅极绝缘层覆盖的部分形成沟道部,所述金属氧化物半导体层未被所述栅极绝缘层覆盖的部分形成非沟道部;
栅极,覆盖所述栅极绝缘层;
介电层,覆盖于所述栅极和所述金属氧化物半导体层上方;
源极,设于所述介电层上方且与所述非沟道部连接;
漏极,与所述源极间隔设于所述介电层上方、且与所述非沟道部连接;
可透光的遮光层,设于所述透光基板与所述金属氧化物半导体层之间,包括第一遮光部和与所述第一遮光部连接的透光部,所述第一遮光部设于所述沟道部与所述透光基板之间,所述透光部设于所述非沟道部与所述透光基板之间;
所述可透光的遮光层还包括第二遮光部,所述第一遮光部与所述第二遮光部间隔设置形成所述透光部;所述第一遮光部、所述第二遮光部和所述透光部在所述透光基板上的投影总面积等于所述透光基板靠近可透光的遮光层的表面的总面积;其中,除了所述第一遮光部和所述透光部的位置,所述可透光的遮光层的其余部分均设置有第二遮光部。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一遮光部在所述透光基板上的投影面积大于或等于所述沟道部在所述透光基板上的投影面积。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一遮光部在所述透光基板上的投影面积等于所述沟道部在所述透光基板上的投影面积,所述源极接触孔与所述栅极绝缘层间隔第一距离设置,所述漏极接触孔与所述栅极绝缘层间隔第二距离设置,所述第一遮光部靠近所述源极的一端与所述第二遮光部间隔第三距离设置,所述第一遮光部靠近所述漏极的一端与所述第二遮光部间隔第四距离设置,所述第三距离大于或等于所述第一距离,所述第四距离大于或等于所述第二距离。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述金属氧化物半导体层在所述透光基板上的投影面积小于所述透光基板靠近所述金属氧化物半导体层的表面的面积,所述介电层覆盖于所述栅极、所述金属氧化物半导体层和所述可透光的遮光层。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述透光部在所述透光基板上的投影面积小于或等于所述非沟道部在所述透光基板上的投影面积。
6.如权利要求1至5任一项所述的显示面板,其特征在于,所述金属氧化物半导体层与所述可透光的遮光层之间设有缓冲层,所述缓冲层覆盖于所述可透光的遮光层,所述介电层覆盖于所述栅极、所述金属氧化物半导体层和所述缓冲层上方;且/或,
所述源极、所述漏极和所述介电层上方覆盖有钝化层,所述钝化层的上方设有与所述源极连接的像素电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的