[发明专利]显示面板及其制作方法

说明书

本发明公开了一种显示面板，该显示面板包括透光基板、金属氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极、源极、漏极、介电层和可透光的遮光层，其中，可透光的遮光层设于透光基板与金属氧化物半导体层之间，包括第一遮光部和与第一遮光部连接的透光部，第一遮光部设于沟道部与透光基板之间，透光部设于非沟道部与透光基板之间。本发明还公开了一种显示面板制作方法。本发明旨在提高顶栅薄膜晶体管结构的开态电流，从而降低显示面板的功耗。

技术领域

本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示面板制作方法。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Diode)显示装置是利用有机电致发光二极管制成的显示屏，由于其优异特性而具有良好的应用前景。主动式OLED显示装置可以分为顶发光和底发光两种方式，但对电阻电容延迟较为敏感的OLED驱动背板，往往采用寄生电容很小的顶栅薄膜晶体管结构，以实现大尺寸高分辨率的显示面板。顶栅薄膜晶体管结构大多采用半导体材料作为有源层，但半导体材料被外界光照射会导致其沟道特性改变，因此一般采用遮光层完全覆盖有源层，以避免有源层的沟道区域受到光照。然而，半导体虽然具有良好的导电率，但半导体的导电率仍不及于导体的导电率，使薄膜晶体管的开态电流受到限制，从而使显示面板具有较高的功耗。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种显示面板，旨在提高顶栅薄膜晶体管结构的开态电流，从而降低显示面板的功耗。

为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，所述显示面板包括：

透光基板；

金属氧化物半导体层，设于所述透光基板上方；

栅极绝缘层，设于所述金属氧化物半导体层上方且覆盖所述金属氧化物半导体层的部分区域，所述金属氧化物半导体层被所述栅极绝缘层覆盖的部分形成沟道部，所述金属氧化物半导体层未被所述栅极绝缘层覆盖的部分形成非沟道部；

栅极，覆盖所述栅极绝缘层；

介电层，覆盖于所述栅极和所述金属氧化物半导体层上方；

源极，设于所述介电层上方且与所述非沟道部连接；

漏极，与所述源极间隔设于所述介电层上方、且与所述非沟道部连接；

可透光的遮光层，设于所述透光基板与所述金属氧化物半导体层之间，包括第一遮光部和与所述第一遮光部连接的透光部，所述第一遮光部设于所述沟道部与所述透光基板之间，所述透光部设于所述非沟道部与所述透光基板之间。

可选地，所述可透光的遮光层还包括第二遮光部，所述第一遮光部与所述第二遮光部间隔设置形成所述透光部。

可选地，所述第一遮光部在所述透光基板上的投影面积大于或等于所述沟道部在所述透光基板上的投影面积。

可选地，所述第一遮光部在所述透光基板上的投影面积等于所述沟道部在所述透光基板上的投影面积，所述源极接触孔与所述栅极绝缘层间隔第一距离设置，所述漏极接触孔与所述栅极绝缘层间隔第二距离设置，所述第一遮光部靠近所述源极的一端与所述第二遮光部间隔第三距离设置，所述第一遮光部靠近所述漏极的一端与所述第二遮光部间隔第四距离设置，所述第三距离大于或等于所述第一距离，所述第四距离大于或等于所述第二距离。

可选地，所述金属氧化物半导体层在所述透光基板上的投影面积小于所述透光基板靠近所述金属氧化物半导体层的表面的面积，所述介电层覆盖于所述栅极、所述金属氧化物半导体层和所述可透光的遮光层。

可选地，所述透光部在所述透光基板上的投影面积小于或等于所述非沟道部在所述透光基板上的投影面积。