[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：

形成包括有第一区域和第二区域的下部结构；

在所述下部结构上形成第一蚀刻停止图案，其中，所述第一蚀刻停止图案暴露所述第二区域；

在所述下部结构上堆叠多个堆叠结构以与所述第二区域和所述第一蚀刻停止图案交叠；

通过蚀刻所述多个堆叠结构来形成阶梯式堆叠结构，其中，所述阶梯式堆叠结构暴露所述第一蚀刻停止图案的端部；

形成穿过所述阶梯式堆叠结构和所述第一蚀刻停止图案的狭缝；以及

经由所述狭缝用导电图案替代所述第一蚀刻停止图案和所述多个堆叠结构的牺牲层，

其中，所述多个堆叠结构中的每一个包括交替堆叠的所述牺牲层和层间绝缘层，并且

其中，所述第一蚀刻停止图案包括具有与所述牺牲层和所述层间绝缘层不同的蚀刻速率的材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过蚀刻所述多个堆叠结构来形成阶梯式堆叠结构的步骤包括如下步骤：暴露所述第二区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层包括氮化物层，

其中，所述层间绝缘层包括氧化物层，并且

其中，所述第一蚀刻停止图案包括金属。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层包括氮化物层，

其中，所述层间绝缘层包括氧化物层，并且

其中，所述第一蚀刻停止图案包括钛化合物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层包括氮化物层，

其中，所述层间绝缘层包括氧化物层，并且

其中，所述第一蚀刻停止图案包括氮化钛层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，堆叠所述多个堆叠结构的步骤包括如下步骤：

形成延伸以与所述第一蚀刻停止图案和所述第二区域交叠的第一堆叠结构；

形成穿过所述第一堆叠结构的第一孔；

形成填充所述第一孔的牺牲柱；

在所述第一堆叠结构上形成第二堆叠结构以覆盖所述牺牲柱；

形成穿过所述第二堆叠结构并且暴露所述牺牲柱的第二孔；

通过所述第二孔去除所述牺牲柱以使所述第一孔开口；以及

在通过联接所述第一孔和所述第二孔所限定的沟道孔中形成沟道层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述牺牲柱的步骤包括如下步骤：

在所述第一孔的表面上形成保护氧化物层；

在所述保护氧化物层上形成填充所述第一孔的一部分的金属层；以及

在所述金属层上形成填充所述第一孔的上部的第二蚀刻停止图案。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述阶梯式堆叠结构包括由所述牺牲层的端部形成的阶梯式端部并且暴露所述第一蚀刻停止图案的端部，

其中，所述方法进一步包括如下步骤：在所述第一蚀刻停止图案的由所述阶梯式端部暴露的端部上和所述牺牲层的端部上形成牺牲焊盘图案，并且

其中，用所述导电图案替代所述牺牲焊盘图案。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，用所述导电图案替代所述第一蚀刻停止图案和所述牺牲层的步骤包括如下步骤：

经由所述狭缝选择性地去除所述第一蚀刻停止图案；

经由所述狭缝选择性地去除所述牺牲层和所述牺牲焊盘图案；以及

用导电材料填充所述第一蚀刻停止图案、所述牺牲层和所述牺牲焊盘图案被去除的区域。